《三星64层256GB V-NAND闪存已进入量产》

• 来源专题：中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
• 编译者： 姜山
• 发布时间：2017-06-20

来源：精实新闻

三星电子15日宣布，最新64层256GB V-NAND闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC与行动装置的储存解决方案。

64层V-NAND闪存用称为第四代V-NAND芯片，南韩ITtimes报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。

其实，三星今年1月已先为某关键客户，打造第一颗内含64层V-NAND芯片的固态硬盘（SSD），自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与IT产业同步化。

三星64层V-NAND闪存传输速度达每秒1Gb，市面上同类型内存产品中无人能出其右。若与48层产品相比，64层闪存的省电效能约高出三成，可靠性则增加约两城。

三星目前是NAND龙头，2016年市占率为36%，在第四代NAND芯片量产后，三星可能陆续调降第二、三代芯片价格，除可进一步扩大市占外，还将对美光、东芝、Western Digital等同业造成降价压力。