本文介绍了一种新型的、低成本的、自顶向下的制造工艺，该工艺可以同时定义具有不同数量纳米线的纳米线场效应晶体管阵列，并系统地比较它们的电气性能。这一过程的主要特点是开发了一种具有逆行剖面的双层光刻胶模式，它可以在宽度、长度、高度和晶体管通道数等方面对纳米线进行修改。方法是兼容低成本制造没有电子束曝光,并受益于过程温度低于190°C。采用扫描电镜、透射电镜和原子力显微镜对工艺可靠性进行了研究。电测量显示了增强模式晶体管，显示了纳米线数量和电特性之间的可伸缩关联。100纳米线具有最佳性能的设备11.0厘米2打1场效应迁移率高,开/关流动比率为3.97×107和0.66 V古老文明的阈下摆动。
——文章发布于2018年8月2日
