宽隙半导体是下一代光电器件的理想选择，包括可调谐发射器和探测器。基于ZnSe纳米线的器件在蓝色发射领域有着广阔的应用前景，因为它们可以容易地、可重复地制造。然而，它们的实用性受到抑制光电器件性能的深能级缺陷状态的限制。本研究的主要目的是展示当纳米线在富锌环境中进行生长后退火处理时，纳米线器件的性能如何得到改善。我们利用低温光致发光光谱来确定主要的复合机制和相关的缺陷状态。然后，我们对生长和退火纳米线制备的ZnSe纳米线场效应晶体管的电子性能进行了表征，并测量了退火处理后对电导率和迁移率的改善幅度。结果表明，退火降低了纳米线中锌空位的浓度，而锌空位对纳米线的生长具有较强的补偿作用和较高的散射量。
——文章发布于2018年12月5日
