嵌段共聚物光刻技术允许具有自组装纳米级特征的大面积表面图案。所制备的纳米结构聚合物薄膜可作为掩模用于常见的光刻工艺步骤，如发射和蚀刻，用于模式复制和转移。在这项工作中，我们讨论了一种方法，以提高模式复制效率，通过修改之前的石印使用聚合物掩膜的O2/Ar等离子体处理。我们提供了一个更好的模式复制质量，没有丢失特征，以及一个精确的可调特征大小，这可以通过短掩码处理来实现。指出了纳米孔在有序阵列中的位置与配位数、纳米孔形状和复制效率之间的关系。我们解释这些相关性的实验策略结合了对改性聚合物掩模复制模式的间接研究和对掩模顶部和底部的直接研究。模式复制可以是通过发射产生的金纳米点阵列，也可以是通过反应离子蚀刻转移到二氧化硅衬底的纳米孔。直接分析从基板释放的自由聚合物膜，可以发现掩膜顶部和底部表面的纳米孔形状。
——文章发布于2019年3月20日
