自组装嵌段共聚物(BCP)模式是下一代光刻技术中纳米模板制备的主要竞争者之一。将这些模板转换为硬标记材料是模式转移的关键，在某些情况下，需要从纳米管中选择性地移除一个块。聚(苯乙烯)-block-poly(4-vinylpyridine)(PS-b-P4VP),高χBCP系统,它可能会纳入半导体奈米制造,这选择性的去除主要是通过湿蚀刻/激活过程。相反，这一过程有许多缺点，包括缺乏控制和产生高浪费导致高成本。由于这些原因，我们的动机是离开湿腐蚀过程并优化干燥腐蚀，这将克服与激活过程相关的限制。本文介绍了一种选择性等离子体蚀刻工艺，用于p4p4vp纳米颗粒膜的P4VP核心去除。结果表明，氮反应离子刻蚀等离子体对P4VP的选择性为2:1，表明氮在P4VP芳香环中的位置在这种选择性中起着关键作用。在不破坏真空的情况下进行了原位等离子刻蚀和x射线光电子能谱测量，证实了氮等离子体在PS上有选择性去除P4VP。
——文章发布于2018年6月25日
