《突破 | 激光直写亚纳米聚焦和单分子成像》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2022-02-16
  • 单分子显微镜极大地扩展了我们对细胞环境中蛋白质复合物的结构组织、功能构象和动力学的理解。单分子成像方法在提高空间分辨率、穿透深度和活细胞成像能力方面取得了显著进展。具有高空间分辨率的单分子成像方法都采用了轴向聚焦锁定(如全内反射模式下的红外激光器)和横向校正方法(如荧光标记物)的组合。即使在分析后处理,不准确或缓慢的主动校正也会导致漂移降低定位精度和降低原位分辨率。

    通过结合光学捕获和优化单个发射体的x/y位置和宽度(z),可将纳米精度的实时聚焦锁应用于离体样品。然而,当在>5μm的深度成像时,这些方法都没有被证明能显著改善商用的轴向聚焦锁,这些轴向聚焦锁通常具有~20nm的精度(即尼康完美聚焦),并且提供有限的横向补偿。因此,尽管荧光成像技术能够具有较高的定位精度和较高的穿透深度,但它们对3D成像的一般适应性仍然有限。因此,一种具有活细胞兼容性、跨微米范围的绝对三维定位和比以前报道过的任何单分子方法的光子限制定位精度更好的聚焦方法是非常可取的。

    近日,澳大利亚新南威尔士大学医学院的Simao Coelho等人通过使用双光子激光直写来控制样品的三维结构和基准的位置来解决这些聚焦限制。在此过程中,作者可以重复地实现跨细胞体积的所有维度的实时亚纳米聚焦。通过获得三维单分子获取和具有纳米精度的活细胞单粒子跟踪,证明了该方法的多功能性。相关工作发表在《NATURE COMMUNICATIONS》上。

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    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2023-07-24
    • 想象一下,将光缩小到一个微小的水分子大小,打开一个量子可能性的世界。这是光科学和技术领域长久以来的梦想。最近的进展使我们离实现这一令人难以置信的壮举更近了一步,因为浙江大学的研究人员在将光限制在亚纳米尺度上取得了突破性进展。 传统上,有两种方法来局部化超出其典型衍射极限的光:介电约束和等离子体约束。然而,诸如精密制造和光损耗等挑战阻碍了将光场限制在亚10纳米(nm)甚至1纳米水平。但是现在,《先进光子学》杂志报道了一种新的波导方案,有望释放亚纳米光场的潜力。 想象一下:光从一根普通的光纤出发,通过一根光纤锥开始一段变革性的旅程,最终到达一个耦合纳米线对(CNP)。在CNP中,光变形成一个非凡的纳米狭缝模式,产生一个受限的光场,可以小到仅仅是纳米的几分之一(大约0.3纳米)。这种新颖的方法具有高达95%的惊人效率和很高的峰值与背景比,提供了一个全新的可能性世界。 新的波导方案将其范围扩展到中红外光谱范围,进一步推动了纳米宇宙的边界。光学约束现在可以达到大约0.2nm (λ/20000)的惊人规模,为探索和发现提供了更多的机会。 浙江大学纳米光子学组的童利民教授指出:“与以前的方法不同,波导方案以线性光学系统的形式呈现,带来了许多优点。它可以实现宽带和超快脉冲操作,并允许多个亚纳米光场的组合。在单一输出中设计空间,光谱和时间序列的能力开辟了无限的可能性。” 这些突破的潜在应用是令人敬畏的。光场定位到可以与单个分子或原子相互作用,有望在光-物质相互作用、超分辨率纳米显微镜、原子/分子操作和超灵敏检测方面取得进展。我们站在一个新发现时代的悬崖上,在那里,最小的存在领域都在我们的掌握之中。 光被极大地限制在耦合的纳米线对中的纳米狭缝中 在纳米狭缝模式下产生亚纳米受限光场的波导方案。(a) CNP波导方案示意图。(b)纳米狭缝模式横截面场强分布图
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    • 编译者:husisi
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    • 近期,清华大学核能与新能源技术研究院何向明研究员、徐宏副教授团队和浙江大学光电科学与工程学院匡翠方教授团队合作研发了一种基于金属氧化物杂化纳米颗粒的高光灵敏度光刻胶材料。合作研究团队利用光致极性变化原理研发出的光刻胶在光刻曝光时能够高效发生化学反应,并显著改变其在显影剂中的溶解性,成功将双光子光刻技术的打印制造速率提升至了米/秒级,比常规的双光子光刻适用的打印速率(通常为微米/秒到毫米/秒级)快了3-5个数量级,大幅提高了双光子光刻技术的制造效率。 双光子光刻技术是一种微纳米级增材制造打印技术,其利用光刻前后光刻胶的溶解度变化来实现精细结构的制造。双光子光刻技术利用高数值孔径的物镜对激发光束进行聚焦,使其在空间上形成亚微米级尺度的焦点。焦点处的光刻胶能够发生双光子吸收效应,进而引发化学反应,使得光刻胶的溶解度发生变化。通过控制焦点的移动路径,在显影过后就可以得到打印出的三维立体微结构。然而,常规的双光子光刻的打印速率(即双光子线性扫描速率)较慢,通常为微米/秒到毫米/秒级,在制造较大体积的微结构时需要耗费极长的时间,这成为了限制双光子光刻技术大规模实际应用的瓶颈难题。要使双光子光刻技术能够成为现实可行的大规模微结构制造技术,在保持微纳米级打印精度的同时,打印制造速率需要提升几个数量级。 为了解决双光子光刻技术打印速率慢的难题,研究团队利用光致极性变化原理研发了一种基于金属氧化物杂化纳米颗粒的高光灵敏度双光子光刻胶材料。与传统的聚合物基光刻胶不同,该光刻胶的成膜树脂是氧化锆杂化纳米颗粒,其由氧化锆内核和甲基丙烯酸配体外壳组成。2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-1,3,5-三嗪(BTMST)作为该光刻胶体系的光敏剂,光刻曝光时引发氧化锆杂化纳米颗粒的化学反应。为了实现高速双光子光刻,研究团队自主搭建了一台配备了转镜扫描系统的双光子光刻设备。利用该台双光子光刻设备,氧化锆杂化光刻胶能够适配7.77 m/s的双光子打印速率,比传统的聚合物基光刻胶的适用打印速率快了3-5个数量级。此外,氧化锆杂化光刻胶还具有微纳米级的打印精度,曝光线条的线宽能够小至38 nm。研究团队进一步研究发现,氧化锆杂化光刻胶的高光灵敏度是由氧化锆杂化纳米颗粒的高效光致极性变化引起的。 氧化锆杂化光刻胶由光敏剂BTMST、氧化锆杂化纳米颗粒和溶剂丙二醇单甲醚乙酸酯组成。氧化锆杂化纳米颗粒具有约46 wt%的无机含量,并且含有许多易带电荷的Zr(IV)和O原子;然而,表面配体外壳能够对无机内核进行有效的电荷屏蔽,使得氧化锆杂化纳米颗粒的整体外表面呈现中性。中性的外表面使得氧化锆杂化纳米颗粒在有机溶剂中具有很高的溶解度。通过旋涂/软烘法将氧化锆杂化光刻胶在玻璃基片上制成光刻胶膜,并使用油浸式双光子光刻模式对光刻胶膜进行打印曝光(图1)。 图1. 双光子光刻系统及其打印速率挑战示意图。 研究团队自主搭建了一台配备了转镜扫描系统的双光子光刻设备(780 nm飞秒光源),该台设备能够实现米/秒级的双光子光刻打印。利用该台光刻设备,氧化锆杂化光刻胶能够适配7.77 m/s的双光子打印速率,打印线条的线宽为172 nm。米/秒级的双光子打印速率比传统的聚合物基光刻胶(微米/秒到毫米/秒级)快了3-5个数量级。利用氧化锆杂化光刻胶,研究团队在米/秒级的双光子打印速率下刻写了一些2D和3D的结构图形,例如1 cm2面积的正方形光栅图形和~1 mm3体积的3D微透镜阵列图形(图2)。 图2. 氧化锆杂化光刻胶在配备了转镜扫描系统的双光子光刻设备(780 nm飞秒光源)下的双光子光刻性能。 研究团队还自主搭建了一台配备了振镜扫描系统的双光子光刻设备(532 nm飞秒光源)。利用该台光刻设备,氧化锆杂化光刻胶能够打印出38 nm线条线宽的图形;光刻图形的最小可分辨间距能够达到150 nm。此外,研究团队还打印了一些复杂的3D微结构,例如空心的富勒烯结构和超材料立方体结构等(图3)。 图3. 氧化锆杂化光刻胶在配备了振镜扫描系统的双光子光刻设备(532 nm飞秒光源)下的双光子光刻性能。 研究团队利用DFT-COSMO方法对光刻胶组分结构的电荷密度分布进行了模拟预测(图4)。曝光前,氧化锆杂化纳米颗粒以及纳米颗粒的聚集体的表面电荷呈现中性;然而,曝光后,氧化锆杂化纳米颗粒阳离子以及纳米颗粒阳离子的聚集体的表面带有明显的正电荷。研究团队根据模拟计算和光谱实验的结果,提出了该光刻胶可能的成像机理:光敏剂BTMST通过双光子吸收发生异裂,生成了活性阳离子。光敏剂活性阳离子进而诱导氧化锆杂化纳米颗粒的外层配体壳发生解离,外层配体壳受到破坏后生成了氧化锆杂化纳米颗粒阳离子。破坏纳米颗粒的外层电荷屏蔽壳会使得纳米颗粒之间产生强相互作用力,导致纳米颗粒发生聚集。氧化锆杂化纳米颗粒阳离子及其聚集体的分子极性与原始的氧化锆杂化纳米颗粒的分子极性相差很大,这种高效的光致极性变化极大地改变了纳米颗粒在显影剂中的溶解性,从而实现了高速双光子光刻。 图4. 利用DFT-COSMO方法计算模拟光刻胶组分结构的表面电荷密度分布情况 研究团队研发了一种可实现高速双光子光刻的高光灵敏度氧化锆杂化光刻胶,以解决双光子光刻技术打印速率慢的难题。氧化锆杂化纳米颗粒的高效光致极性变化使得曝光后的光刻胶在显影剂中的溶解性发生了明显改变。为了体现氧化锆杂化光刻胶高光灵敏度的优势,研究团队自主搭建了一台配备了转镜扫描系统的双光子光刻设备,并利用氧化锆杂化光刻胶实现了7.77 m/s的双光子光刻打印速率。在打印精度方面,研究团队通过优化双光子曝光-显影工艺,获得了线宽为38 nm的光刻图形。该项工作研发的高光灵敏度光刻胶材料能够显著提高双光子光刻技术的打印速率,并大幅缩短双光子光刻制造所需的时间,有望推动双光子光刻技术在微纳增材制造领域的大规模实际应用。