《突破 | 亚纳米级光学技术获得重要突破》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2023-07-24
  • 想象一下,将光缩小到一个微小的水分子大小,打开一个量子可能性的世界。这是光科学和技术领域长久以来的梦想。最近的进展使我们离实现这一令人难以置信的壮举更近了一步,因为浙江大学的研究人员在将光限制在亚纳米尺度上取得了突破性进展。

    传统上,有两种方法来局部化超出其典型衍射极限的光:介电约束和等离子体约束。然而,诸如精密制造和光损耗等挑战阻碍了将光场限制在亚10纳米(nm)甚至1纳米水平。但是现在,《先进光子学》杂志报道了一种新的波导方案,有望释放亚纳米光场的潜力。

    想象一下:光从一根普通的光纤出发,通过一根光纤锥开始一段变革性的旅程,最终到达一个耦合纳米线对(CNP)。在CNP中,光变形成一个非凡的纳米狭缝模式,产生一个受限的光场,可以小到仅仅是纳米的几分之一(大约0.3纳米)。这种新颖的方法具有高达95%的惊人效率和很高的峰值与背景比,提供了一个全新的可能性世界。

    新的波导方案将其范围扩展到中红外光谱范围,进一步推动了纳米宇宙的边界。光学约束现在可以达到大约0.2nm (λ/20000)的惊人规模,为探索和发现提供了更多的机会。

    浙江大学纳米光子学组的童利民教授指出:“与以前的方法不同,波导方案以线性光学系统的形式呈现,带来了许多优点。它可以实现宽带和超快脉冲操作,并允许多个亚纳米光场的组合。在单一输出中设计空间,光谱和时间序列的能力开辟了无限的可能性。”

    这些突破的潜在应用是令人敬畏的。光场定位到可以与单个分子或原子相互作用,有望在光-物质相互作用、超分辨率纳米显微镜、原子/分子操作和超灵敏检测方面取得进展。我们站在一个新发现时代的悬崖上,在那里,最小的存在领域都在我们的掌握之中。

    光被极大地限制在耦合的纳米线对中的纳米狭缝中

    在纳米狭缝模式下产生亚纳米受限光场的波导方案。(a) CNP波导方案示意图。(b)纳米狭缝模式横截面场强分布图

相关报告
  • 《单壁碳纳米管薄膜的连续制备及全碳电路研制获得突破》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2018-07-04
    • 单壁碳纳米管具有优异的力学、电学和光学性质,在柔性和透明电子器件领域可作为透明电极材料或半导体沟道材料,因此被认为是最具竞争力的候选材料之一。开发出可高效、宏量制备高质量碳纳米管薄膜的方法已成为该材料走向实际应用的关键难题。首先,迄今制备的单壁碳纳米管薄膜的尺寸通常为厘米量级,批次制备方式不能满足规模化应用要求。其次,由于在碳纳米管薄膜制备工艺过程中通常会引入杂质和结构缺陷,使得薄膜的光电性能劣化,远低于理论预测值。因此,发展一种高效、宏量制备高质量单壁碳纳米管薄膜的制备方法具有重要价值。   近日,中国科学院金属研究所先进炭材料研究部孙东明团队与刘畅团队合作,提出了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,实现了米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜的连续制备,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。研究人员采用浮动催化剂化学气相沉积方法在反应炉的高温区域连续生长单壁碳纳米管,然后通过气相过滤和转移系统在室温下收集所制备的碳纳米管,并通过卷到卷转移方式转移至柔性PET基底上,获得了长度超过2 m的单壁碳纳米管薄膜。对该过滤沉积过程进行流体仿真,其结果表明当调节出气口速度使抽滤过程处于平衡状态时,该过滤系统中的气流呈现出均匀的气流速度分布(图1)。通过该方法制备的单壁碳纳米管薄膜表现出优异的光电性能和分布均匀性,在550纳米波长下其透光率为90%,方块电阻为65Ω/□(图2)。研究人员利用所制备的碳纳米管薄膜构筑了高性能全碳柔性透明晶体管(图3)以及异或门、101阶环形振荡器等柔性全碳集成电路(图4)。   这是研究人员首次开发出米级长度的单壁碳纳米管薄膜的连续生长、沉积和转移技术,所制备的单壁碳纳米管薄膜及其晶体管具有优异的光电性能,为未来开发基于单壁碳纳米管薄膜的大面积、柔性和透明电子器件奠定了材料基础。该工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、中国博士后科学基金、中国科学院装备研制计划、辽宁百千万人才计划、青年相关人才计划等项目的支持。单壁碳纳米管薄膜的连续制备技术已获得中国发明专利(ZL201410486883.1),相关论文于近日在Advanced Materials在线发表。
  • 《突破 | 硅基光电子领域获重大突破》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2023-10-25
    • 北京大学电子学院王兴军教授、彭超教授、舒浩文研究员联合团队在超高速纯硅调制器方面取得突破,实现了全球首个电光带宽达110GHz的纯硅调制器。这是自2004年英特尔在《自然》期刊报道第一个1GHz硅调制器后,国际上首次把纯硅调制器带宽提高到100GHz以上。日前,相关研究成果以《110GHz带宽慢光硅调制器》为题在线发表于《科学·进展》。 “该纯硅调制器同时具有超高带宽、超小尺寸、超大通带及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成工艺兼容等优势,满足了未来超高速应用场景对超高速率、高集成度、多波长通信、高热稳定性及晶圆级生产等需求,是硅基光电子领域的重大突破,为高速、短距离数据中心和光通信的应用提供了重要关键技术支撑,对于下一代数据中心的发展意义重大。”王兴军介绍。 “随着人工智能、大数据、云计算等新一代信息技术的大规模应用,全球数据总量呈指数式增长,以硅基光电子为代表的光电子集成技术成为光通信系统的重要发展趋势。在硅基光电子芯片系统中,硅基调制器可以实现电信号向光信号的功能转换,具有低成本、高集成度、CMOS集成工艺兼容等优点,是完成片上信息传输与处理的关键有源器件。”王兴军表示,但受限于硅材料本身较慢的载流子输运速率,纯硅调制器带宽典型值一般为30至40GHz,难以适应未来超过100Gbaud通信速率的需要,因而也成为硅基光电子学在高速领域发展的瓶颈之一。 在本次工作中,研究团队针对传统硅基调制器带宽受限问题,利用硅基耦合谐振腔光波导结构引入慢光效应,构建了完整的硅基慢光调制器理论模型,通过合理调控结构参数以综合平衡光学与电学指标因素,实现对调制器性能的深度优化。研究团队基于CMOS集成工艺兼容的硅基光电子标准工艺,在纯硅材料体系下设计并制备了在1550纳米左右通信波长下工作的超高带宽硅基慢光调制器,实现了110GHz的超高电光带宽,打破了迄今为止纯硅调制器的带宽上限,并同时将调制臂尺寸缩短至百微米数量级,在无须数字信号处理的情况下以简单的二进制振幅键控调制格式实现了单通道超过110Gbps的高速信号传输,降低了算法成本与信号延迟,同时在宽达8纳米的超大光学通带内保持多波长通信性能的高度均一性。 “研究团队在不引入异质材料与复杂工艺的前提下,实现了硅基调制器带宽性能的飞跃,未来还可实现低成本晶圆级的量产,展示了硅基光电子学在下一代超高速应用领域的巨大价值。”王兴军说。