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《中国第四代自主量子计算测控系统，正式发布！》

  • 来源专题：能源情报网监测服务平台
  • 编译者： 郭楷模
  • 发布时间：2025-05-08

  • 近日，记者从安徽省量子计算工程研究中心获悉，本源量子计算科技(合肥)股份有限公司正式推出支持500+量子比特的中国第四代自主量子计算测控系统“本源天机4.0”，标志着中国量子计算产业已具备可复制、可迭代的工程化生产能力，为百比特级量子计算机量产奠定了产业化基础。量子计算测控系统是量子计算机的“神经中枢”，承担着量子芯片精密信号生成、采集与控制的核心职能。“本源天机4.0”是继3.0版本成功应用于中国第三代自主超导量子计算机“本源悟空”后的重大升级，在扩展性、集成度、性能稳定性及自动化水平方面实现跨越式提升。

    据了解，搭载“本源天机3.0”的中国第三代自主超导量子计算机“本源悟空”自上线以来，已为来自全球139个国家和地区的超2600万人次，完成38万余个量子计算任务。当前“本源天机4.0”正支撑着中国下一代自主量子计算机的研发攻关，在全球量子科技竞争中，全面构建自主可控的“中国方案”。

  • 原文来源：https://www.nengyuanjie.net/article/114052.html
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  • 《第四代半导体氧化镓蓄势待发!》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：胡思思
    • 发布时间：2024-08-28
    • 新能源汽车大势之下,以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时,第四代半导体也在蓄势待发,其中, 氧化镓(Ga2O3)基于其性能与成本优势,有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料。 近期媒体报道，鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作，双方研究团队在第四代半导体的关键技术上取得重大突破，提高了氧化镓在高压、高温应用领域的高压耐受性能。 本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造，并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二极体，结果展示出优异的电性表现，这一突破性技术除了能大幅提升元件的稳定性和可靠性，并显著降低电阻。 论文详细阐述了这种新型Ga2O3 PN二极体的制作过程和性能特征。实验结果显示，该元件具有4.2 V的开启电压和900 V的击穿电压，展现出元件优异的高压耐受性能。 资料显示，氧化镓作为第四代半导体材料代表，具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势，这些特性使得氧化镓特别适用于电动汽车、电网系统、航空航天等高功率应用场景。 鸿海认为，氧化镓将有望成为具有竞争力的电力电子元件，能直接与碳化硅竞争。展望未来，鸿海研究院表示，随着氧化镓技术的进一步发展，可以期待其在更多高压、高温和高频领域中有更广泛应用。氧化镓技术不断突破资料显示，当前日本、美国与中国对氧化镓领域的研究较为积极。 日本相关厂商已经实现了4英寸与6英寸氧化镓的产业化发展，2023年底，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。 美国Kyma科技公司在氧化镓基片、外延晶片和器件的生产上具有优势，并且与美国国防部达成紧密的合作关系。 我国同样也在加速布局氧化镓，并取得了一系列重要研究成果。 去年2月，中国电科46所成功制备出6英寸氧化镓单晶，技术达到了国际一线水平。 去年10月，北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。 今年3月，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。同年7月，镓仁半导体制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。 今年4月，媒体报道厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展。 在β-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3外延薄膜的均匀生长和优良的晶体质量，有力地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。据悉，β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。 另外，该研究团队在MBE异质外延β-Ga2O3生长机制的基础上，结合半导体光电响应原理，探究了异质外延β-Ga2O3薄膜日盲光电探测器的性能指标。研究团队利用臭氧作为前驱体所制备的金属-半导体-金属结构日盲光电探测器表现出7.5 pA的暗电流、1.31×107的光暗电流比、1.31×1015 Jones的比检测率和 53 A/W的光响应度，表现出相当优异的对日盲紫外光的探测性能。
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  • 《我国第四代核电技术达到世界领先水平——打开核电发展新空间》
    • 来源专题：可再生能源
    • 编译者：武春亮
    • 发布时间：2024-01-11
    • 我国第四代核电技术达到世界领先水平——打开核电发展新空间 发布时间：2024-01-05 来源：经济日报大 中 小   国家重大科技专项标志性成果、全球首座第四代核电站——山东荣成石岛湾高温气冷堆核电站商业示范工程日前圆满通过168小时连续运行考验，正式投入商业运行，标志着我国在第四代核电技术研发和应用领域达到世界领先水平。   高温气冷堆是指具有高温特征、使用气体进行堆芯冷却的核反应堆技术。高温气冷堆核电站重大专项总设计师、清华大学核能与新能源技术研究院院长张作义表示，高温气冷堆是国际公认的第四代核电技术先进堆型，是核电发展的重要方向，具有“固有安全性”，即在丧失所有冷却能力的情况下，不采取任何干预措施，反应堆都能保持安全状态，不会出现堆芯熔毁和放射性物质外泄。同时，高温气冷堆所具有的固有安全性、发电效率高、应用领域广等优良性能，使其在核能发电、热电冷联产及高温工艺热应用等领域商业化应用前景广阔，将有助于优化能源结构、保障能源供给安全，推动实现“双碳”目标。   石岛湾高温气冷堆示范工程于2012年12月正式开工，由中国华能、清华大学、中核集团共同建设，具有完全自主知识产权。2021年12月首次实现并网发电，本次是在稳定电功率水平上正式投产转入商业运行。示范工程集聚了设计研发、工程建设、设备制造、生产运营等产业链上下游500余家单位，先后攻克了多项世界级关键技术，设备国产化率达到93.4%，创新型设备600多台（套）。依托该示范工程，我国系统掌握了高温气冷堆设计、制造、建设、调试、运维技术，培养了一批具备高温气冷堆建设和运维管理经验的高素质专业人才队伍，形成了一套可复制、可推广的标准化管理体系，并建立起以专利、技术标准、软件著作权为核心的自主知识产权体系。   示范工程投产，对促进我国核电安全发展、提升我国核电科技创新能力水平等具有重要意义和积极影响。华能石岛湾核电公司总经理张延旭表示，通过集中产业链上下游优势资源联合开展技术攻关，示范工程成功研制出2200多套世界首台（套）设备，研发了高温气冷堆特有的调试运行六大关键核心技术，巩固了我国在高温气冷堆先进核电技术领域的全球领先地位。   为充分发挥核电碳减排的作用和能力，助力实现“双碳”目标、保障电力系统安全稳定，核电的装机比重需要进一步提高。《中共中央 国务院关于完整准确全面贯彻新发展理念做好碳达峰碳中和工作的意见》和《国务院关于印发2030年前碳达峰行动方案的通知》均明确指出，积极安全有序发展核电。核电发展再次迎来历史机遇期。据测算，2060年电力系统要实现碳中和，非化石能源发电占比应达到90%以上，核电发电量应接近20%。   专家表示，安全如期达成“双碳”目标，核电“蓄能”势在必行。“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出，开展山东海阳等核能综合利用示范，为我国核能产业发展开辟了新赛道。下一步，核能还需要在电力调峰、核能制氢、核能供汽、核能供暖、海水淡化等方面发挥更大作用。（记者 王轶辰） .
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