《对双层石墨烯的带隙和掺杂效应的差异》

  • 来源专题:纳米科技
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2017-09-14
  • 通过应用一个垂直于该层的电场,在双层石墨烯(BLG)中打开了一个带隙,在石墨烯电子中提供了多功能性和可控制性。使用双门的BLG设备,在BLG的每一边都使用了正和负的门电压,来确认带隙的存在。另一种诱导电场的方法是利用电子转移吸附装置,在BLG的每一边都有电子和孔的掺杂。然而,由于使用兴奋剂而产生的“带隙”现象仍在调查中。在这里,我们决定了电子/孔的掺杂是否可以通过测量在电子供体自组装单分子(SAMs)和电子受体分子之间放置的BLG的导电性的温度依赖性来产生打开带隙的电场。我们发现一些设备显示出了一个带隙,而另一些则没有。SAMs可能的不规则和多变的结构可能会影响到电场的配置,产生可变的电子特性。这项研究证明了控制和使用兴奋剂之间的本质区别。

    ——2017年9月12日

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