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《掺杂后双层石墨烯电子带结构的演化》

  • 来源专题：纳米科技
  • 编译者： 郭文姣
  • 发布时间：2017-08-11

  • 双层石墨烯的电子带结构发展了van Hove奇点，其能量依赖于两层间的扭转角。利用拉曼光谱技术，在激光光子能量与范·霍夫奇异点能量分离共振时，利用G峰面积增强了电子频带结构的演化。在电荷掺杂的情况下，拉曼G峰区域最初的扭曲角比临界角大，小角减小。为了用扭转角来解释这种行为，van Hove奇点的能量分离必须随着电荷密度的增加而减少，这证明了用掺杂来修正扭曲的双层石墨烯的电子和光学性质的能力。

    ——文章发布于2017年8月08日

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  • 《对双层石墨烯的带隙和掺杂效应的差异》
    • 来源专题：纳米科技
    • 编译者：郭文姣
    • 发布时间：2017-09-14
    • 通过应用一个垂直于该层的电场，在双层石墨烯(BLG)中打开了一个带隙，在石墨烯电子中提供了多功能性和可控制性。使用双门的BLG设备，在BLG的每一边都使用了正和负的门电压，来确认带隙的存在。另一种诱导电场的方法是利用电子转移吸附装置，在BLG的每一边都有电子和孔的掺杂。然而，由于使用兴奋剂而产生的“带隙”现象仍在调查中。在这里，我们决定了电子/孔的掺杂是否可以通过测量在电子供体自组装单分子(SAMs)和电子受体分子之间放置的BLG的导电性的温度依赖性来产生打开带隙的电场。我们发现一些设备显示出了一个带隙，而另一些则没有。SAMs可能的不规则和多变的结构可能会影响到电场的配置，产生可变的电子特性。这项研究证明了控制和使用兴奋剂之间的本质区别。 ——2017年9月12日
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  • 《高性能光电探测器氮化镓和氮掺杂单层石墨烯杂化异质结构的制备》
    • 来源专题：纳米科技
    • 编译者：郭文姣
    • 发布时间：2020-09-03
    • 纳米科学与技术于2020年9月02日发布关于“高性能光电探测器氮化镓和氮掺杂单层石墨烯杂化异质结构的制备”的文章，文章指出利用化学气相沉积(CVD)技术在氮掺杂单层石墨烯(N-SLG)衬底上外延生长氮化镓(GaN)。用x射线衍射仪(XRD)测定了氮化镓的六方晶体结构。光致发光(PL)光谱、能量色散x射线(EDX)光谱和x射线光电子(XPS)光谱显示，在氮化镓生长过程中，氧、碳和氮以污染或掺杂的形式存在。另外，由于N-SLG的存在，PL在所有样品中都出现了微弱的黄色发光峰。结果表明，氮化镓下的N-SLG的存在有助于提高材料的性能。从电流-电压(I-V)响应可以看出，估计的势垒高度与肖特基-莫特模型吻合较好，理想因子接近统一，说明样品中不存在与表面和界面有关的不均匀性。用这种材料制作的光电探测器在载流子迁移率、灵敏度、响应率和探测性能等方面都具有很高的器件性能。霍尔测量值清楚地表明，这样生长的氮化镓具有高电子含量，这有利于获得非凡的器件性能。
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