《掺杂后双层石墨烯电子带结构的演化》

  • 来源专题:纳米科技
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2017-08-11
  • 双层石墨烯的电子带结构发展了van Hove奇点,其能量依赖于两层间的扭转角。利用拉曼光谱技术,在激光光子能量与范·霍夫奇异点能量分离共振时,利用G峰面积增强了电子频带结构的演化。在电荷掺杂的情况下,拉曼G峰区域最初的扭曲角比临界角大,小角减小。为了用扭转角来解释这种行为,van Hove奇点的能量分离必须随着电荷密度的增加而减少,这证明了用掺杂来修正扭曲的双层石墨烯的电子和光学性质的能力。

    ——文章发布于2017年8月08日

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