《SK海力士宣布量产业界最新的超高性能AI内存产品HBM3E》

  • 来源专题:集成电路
  • 发布时间:2024-03-21
  • 据官网3月19日报道,SK海力士宣布已开始量产最新的超高性能AI内存产品HBM3E,并将从本月下旬起向客户供货。

    据业界认为,在存储半导体三大巨头(三星电子、SK海力士、美光)中,SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。

    HBM3E每秒可处理1.18TB数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级电影(每个5GB)。

    在散热方面,SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术,散热性能较上一代产品提高了 10%,从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。

    SK海力士高管表示:"公司通过全球首次HBM3E投入量产,进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线,将进一步夯实与客户的关系,并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。"

    原文链接:https://news.skhynix.com/sk-hynix-begins-volume-production-of-industry-first-hbm3e/

  • 原文来源:https://www.newelectronics.co.uk/content/news/sk-hynix-begins-volume-production-of-industrys-first-hbm3e
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    •        SK海力士股份有限公司宣布,已开始批量生产36GB HBM3E存储器,从3月底开始供应给客户。与三星的产品类似,SK海力士现在堆叠了12个24Gbit内存容量的裸片,提供36Gbytes的内存容量(参见三星采用HBM3E 36Gbyte DRAM实现12层堆叠)。        HBM是一种基于DRAM的产品,与单平面DRAM相比,通过垂直连接多个DRAM管芯和硅通孔(TSV)和凸块,实现了更高的数据处理速度。HBM有五代,从最初的HBM开始,随后是HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E,即HBM3的扩展版本。        SK海力士在一份新闻声明中表示,其最新产品“在人工智能存储器所需的所有方面,包括速度和热量控制,都是业内最好的。”该存储器每秒可处理高达1.18TB的数据,相当于在一秒钟内传输230多部全高清电影。与上一代相比,在应用了Mass Reflow Molded Underfill(MR-MUF)之后,SK Hynix的HBM3E的散热性能也提高了10%。        作为HBM芯片堆叠的一部分,SK Hynix在它们之间注入液体保护材料,以保护芯片之间的电路,然后硬化。与为每个芯片堆叠铺设薄膜型材料的方法相比,该过程已被证明在散热方面更有效和高效。SK Hynix的MR-MUF技术支持稳定的大规模生产,因为可以减少堆叠芯片的压力,同时改善翘曲控制。        SK Hynix HBM业务负责人Sungsoo Ryu在声明中表示:“凭借HBM业务的成功案例以及多年来与客户建立的牢固合作关系,SK Hynix将巩固其作为AI内存提供商的地位。”
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    • 10月21日,SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。 与上一代1Y产品相比,该产品的生产率提高了约27%,由于可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,其在成本上具有竞争优势。 新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。 第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。 接下来,SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。 DRAM 1Z开发事业TF长李廷燻表示,该芯片计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应。