SK海力士股份有限公司宣布，已开始批量生产36GB HBM3E存储器，从3月底开始供应给客户。与三星的产品类似，SK海力士现在堆叠了12个24Gbit内存容量的裸片，提供36Gbytes的内存容量（参见三星采用HBM3E 36Gbyte DRAM实现12层堆叠）。
HBM是一种基于DRAM的产品，与单平面DRAM相比，通过垂直连接多个DRAM管芯和硅通孔（TSV）和凸块，实现了更高的数据处理速度。HBM有五代，从最初的HBM开始，随后是HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E，即HBM3的扩展版本。
SK海力士在一份新闻声明中表示，其最新产品“在人工智能存储器所需的所有方面，包括速度和热量控制，都是业内最好的。”该存储器每秒可处理高达1.18TB的数据，相当于在一秒钟内传输230多部全高清电影。与上一代相比，在应用了Mass Reflow Molded Underfill（MR-MUF）之后，SK Hynix的HBM3E的散热性能也提高了10%。
作为HBM芯片堆叠的一部分，SK Hynix在它们之间注入液体保护材料，以保护芯片之间的电路，然后硬化。与为每个芯片堆叠铺设薄膜型材料的方法相比，该过程已被证明在散热方面更有效和高效。SK Hynix的MR-MUF技术支持稳定的大规模生产，因为可以减少堆叠芯片的压力，同时改善翘曲控制。
SK Hynix HBM业务负责人Sungsoo Ryu在声明中表示：“凭借HBM业务的成功案例以及多年来与客户建立的牢固合作关系，SK Hynix将巩固其作为AI内存提供商的地位。”
