SK海力士宣布已完成HBM4内存的研发工作，目前正为全球首次量产做最终准备。
据SK海ynix介绍，此次完成量产准备的HBM4具备领先的数据处理速度和能效表现：通过采用2048个I/O接口（较前代翻倍），实现带宽倍增的同时，能效提升超40%。公司预计HBM4可提升AI服务性能最高达69%，有效突破数据瓶颈并显著降低数据中心功耗。值得注意的是，HBM4的运行速度突破JEDEC标准规定的8Gbps，达到10Gbps以上。
媒体报道指出，SK海力士通过应用其成熟的先进批量回流模塑底部填充（MR-MUF）封装技术，结合10纳米级1b（第五代）DRAM工艺，有效降低了量产风险。此外，公司正与台积电合作生产基础晶圆。
据悉，HBM4用于英伟达下一代AI加速器的质量测试已进入最终阶段。消息人士透露，研发工作全面完成后，内部流程均已就绪，剩余验证工作正在推进中。
报道称若SK海力士通过英伟达最终测试，该内存将被采纳于计划2026年推出的英伟达新一代AI芯片"Rubin"。随着英伟达AI加速器将在2026年下半年从当前Blackwell平台过渡至Rubin平台，其旗舰内存也有望从HBM3E升级至HBM4。
