据日经中文网10月9日报道，日本东京农工大学与日本酸素控股株式会社合作，共同开发出新一代功率半导体“氧化镓”的低成本制法。该方法利用气体供应原料，在基板上制造晶体，可减少设备维护频率，也可降低运营成本。据悉，该方法属于“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”，在密闭装置内充满气体状原料，可在基板上制造出氧化镓的晶体。目前现有的制法是“氢化物气相外延（HVPE）法”，化学气相沉积新制法可制成此前实现不了的高频器件。东京农工大等团队通过MOCVD方法，将氧化镓晶体的生长速度提高至每小时约16微米，达到原来的约16倍。东京农工大学研究人员表示，这是与氢化物气相外延法并列的水平。除了立式结构的功率器件外，还可以制造“高电子迁移率晶体管（HEMT）”这种横式结构，有利于通信设备的高频工作。利用传统的氢化物气相外延法，难以与高电子迁移率晶体管所需的铝进行混晶。
氧化镓是耐压性超过“碳化硅”和“氮化镓”的功率半导体材料，可以降低电力转换时的能源损失。有望用于纯电动汽车（EV）、白色家电及光伏发电等广泛用途。目前已有数家企业实现实用化，富士经济的调查显示，市场规模到2030年将达到470亿日元。
