《Marktech推出宽带混合硅InGaAs光电探测器》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-11-03
  • 美国一家定制光电子元件和组件的厂商Marktech Optoelectronics 公司已宣布在全球市场推出型号为MT03-041(TO-5)和MT03-047(SMD)宽带混合硅InGaAs(砷化铟镓)光电探测器。

    Marktech表示,MT03-041和MT03-047的行业特殊设计,可使其在从紫外到可见光再到SWIR的光谱范围内进行通用、准确、灵敏、可靠的宽带检测,即增强了250nm(UV)到1750nm(SWIR)范围的检测。这种宽动态范围分别包括365nm蓝绿色增强型硅基检测,1300nm InGaAs基检测,超低噪声测量性能和高分流电阻。这些检测器无缝集成在单个紧凑的通孔或SMD封装中,并且符合REACH和RoHS标准。

    宽带混合硅InGaAs光电探测器的可以运用于医疗、工业、高速通信、安全和光谱学。通过Marktech的全球分销合作伙伴Digi-Key Electronics进行购买,24小时内发货,中小型批量购买标准型号MT03-041(TO-5)和MT03-047(SMD)。Marktech也提供MT03-041(TO-5)和MT03-047(SMD)的可选附件,包括UV~IR~SWIR范围发射器。每个发射器可以进行机械和光谱匹配,然后与光电检测器组合为单个紧凑的封装。

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    • 石墨烯/硅异质结通过光门效应具有高增益和宽带光检测的吸引力。然而,在这些设备仍限于photoresponsivity 1 W−1如果没有窄带absorption-enhanced纳米结构。本文系统地研究了在1550nm波长下屏障对光响应的影响。通过基体的选择、石墨烯的掺杂和电学调节可以获得不同的势垒高度。研究发现,较低的石墨烯侧阻挡层高度和较高的硅侧阻挡层高度有利于较好的红外光电响应。通过Polyetherimide掺杂石墨烯和back-gated电子调制,最后响应率达到5.71 W−1,据我们所知是在最好的结果对石墨烯与石墨烯采用红外光电探测器光吸收材料。研究发现,石墨烯中间接跃迁的热离子发射效率与阻挡层高度的差异有关,而通道内的光诱导载流子寿命可通过内置电势得到提高。这些结果为石墨烯/硅异质结在长波红外区域的光检测应用奠定了基础。 ——文章发布于2019年2月28日
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