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《复旦大学研发全球首颗二维超快闪存芯片 突破AI算力存储瓶颈》

  • 来源专题：新一代信息技术
  • 编译者： 刘飞
  • 发布时间：2025-10-10

  • 复旦大学周鹏、刘春森团队在国际顶级期刊《自然》连续发表两项二维闪存重大突破：研制出400皮秒全球最快闪存器件“破晓”，并创新提出二维-硅基混合架构“长缨”，成功实现与成熟CMOS工艺的兼容集成。这项颠覆性技术有望重塑现有存储架构，为AI大模型提供兼具高速读写与大容量的统一存储解决方案。

    “破晓（PoX）”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今为止最快的半导体电荷存储技术。这项研究不仅得到了《自然》编辑部的高度认可，还引起了商业公司的关注。 此外，团队提出了二维-硅基混合架构“长缨（CY-01）”，通过将二维闪存器件融入成熟的CMOS工艺平台，加速了新型器件的产业化。这一架构的世界首颗二维-硅基混合架构芯片不仅解决了传统CMOS制造工艺与二维材料适配的问题，还实现了高密度单片互连和软硬件兼容性通信。

    测试结果显示，该芯片的集成良率达94.3%，支持8比特指令操作和32比特高速并行操作与随机寻址。 该团队的研究致力于突破现有存储技术的瓶颈，以满足未来人工智能（AI）应用对高速度和大容量存储的需求。他们从基础物理原理出发，逐步推进到器件集成和应用，最终实现了颠覆性创新的技术落地。这一成果不仅为存储器的发展开辟了新路径，也为未来AI硬件瓶颈的解决提供了有力支持。

  • 原文来源：https://news.sciencenet.cn/htmlnews/2025/10/552759.shtm
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