中国自立式氮化镓（GaN）晶片开发商Eta Research公司已经开发出半绝缘4英寸GaN，该公司是率先商业开发这种尺寸的半绝缘自立式GaN晶圆的公司。
Eta使用氢化物气相外延（HVPE）方法生产GaN晶片。为了补偿无意的n型掺杂剂，采用了深层共掺杂策略来实现高电阻率。在半绝缘GaN中，Eta选用碳掺杂。二次离子质谱（SIMS）数据显示碳浓度在5E17-3E18 / cm3的范围内。氧和硅的意外n型掺杂剂低于1E17 / cm3。电阻率已通过霍尔测量和I-V曲线进行了测量，导致室温下的电阻率大于1E9Ω-cm。
半绝缘GaN晶片的晶体和晶片质量规格与该公司的n型GaN晶片相同。 （002）和（102）的XRD摇摆曲线均小于100 arcsec，通常为50-60 arcsec。通过阴极发光（CL）测得的位错密度为1E6 / cm2。晶格曲率半径大于10m，对于100mm晶圆，总厚度变化（TTV）和弯曲度可控制在30μm以内。表面具有Epi-ready抛光，对于10μmx10μm原子力显微镜（AFM）测量，粗糙度<0.3nm，对于239μmx318μm光学干涉仪测量，粗糙度<1.0nm。
半绝缘GaN晶片主攻RF HEMT器件市场。由于5G和其他无线通信应用的实施，RF设备市场正在经历高速增长。
由于半绝缘GaN晶片的供应、尺寸和质量有限，因此同质外延生长的GaN RF器件的研究工作非常有限。但是GaN晶片在射频器件上的应用很有价值。GaN-on-GaN RF器件将具有较低的位错密度器件层，并且不需要缓冲层，因此该公司预计，在GaN衬底上制造的RF器件将带来更高的功率和更好的性能。
