中国上海临港自由贸易区的Eta（镓特半导体）成立于2015年，主要开发独立式氮化镓（GaN）晶圆，目前正在销售抛光外延式n型100mm GaN晶圆。
Eta已经将GaN晶圆研发商业化，制造了独特的氢化物气相外延（HVPE）设备，完善了晶圆分离工艺和抛光工艺。在2018年，该公司展示了直径为100mm的生长的GaN晶圆，可以切割成最终尺寸成为英寸或3英寸的晶圆。今年，Eta开发了5英寸的生长的GaN晶圆，可以切割加工成100mm晶圆。
Eta非常强调晶体质量和晶格曲率的重要性。对于（002）和（102）反射，生长的晶片的典型摇摆曲线全宽半最大值（FWHM）为50-60弧秒。基于抛光晶片的阴极发光（CL），测量穿透位错密度为1E6 / cm2。晶格曲率对于晶片上的切口变化的量度是重要的，中心点切口指定为朝向GaN m方向的0.35°，并且可以根据客户的要求进行修改。格子曲率半径大于10米，目标大约30米或更大。
该公司已开发出GaN抛光工艺，原子力显微镜（AFM）测量平均粗糙度超过10μm，形貌测量<0.3nm。Eta在GaN晶圆上生长了MOCVD GaN外延层和器件结构，MOCVD生长层显示出良好的表面形态，并且具有类似于基底的X射线衍射（XRD）摇摆曲线FWHM。
目前，该公司少量出售100mm GaN晶圆、2英寸、3英寸晶圆。到2019年底，位于中国安徽省铜陵市的新生产工厂将上线更多的HVPE产能。该公司希望在不久的将来能够为大批量客户提供服务。
