10月21日，SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM，据称，这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。
与上一代1Y产品相比，该产品的生产率提高了约27%，由于可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，其在成本上具有竞争优势。
新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，功耗降低约40%。
第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。
接下来，SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域，包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
DRAM 1Z开发事业TF长李廷燻表示，该芯片计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应。
