《MACOM和ST扩大150mm GaN-on-Si生产能力,并根据需求扩大200mm》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-03-03
  • 位于美国马萨诸塞州洛厄尔的MACOM技术解决方案公司和瑞士日内瓦的意法半导体公司宣布,2019年将扩大ST晶圆厂的150毫米GaN-on-Si的生产能力(以及200毫米的需求),为全球5G电信扩建服务。这建立在2018年2月宣布的MACOM和ST之间广泛的GaN-on-Si协议的基础上。

    全球推出5G网络并转向大规模多输入多输出(M-MIMO)天线配置,预计将大幅增加对射频功率产品的需求。具体而言,MACOM估计所需的功率放大器数量将增加32-64倍,在5G基础设施投资的五年周期内将美元内容增加三倍以上,并推动每个放大器的成本降低10-20倍。

    MACOM总裁兼首席执行官John Croteau说:“主要的基站OEM厂商明白,他们需要具有转型成本结构和制造能力的宽带GaN性能,以满足现场的5G天线成本,范围和能效目标。 ”他相信:“通过与意法半导体的合作,我们相信MACOM具备独一无二的优势——性能,成本和大批量供应链……我们在这个早期阶段的联合投资带来了更多的产能,使我们能够为全球85%的服务提供服务5G网络扩建。”

    意法半导体的汽车和离散产品集团总裁Marco Monti说:“我们现在正在推进RF GaN-on-silicon,这将使OEM能够构建新一代高性能5G网络。虽然碳化硅非常适合某些电源应用,例如汽车电源转换,但GaN-on-Si提供必要的RF性能,规模和商业成本结构,使5G成为现实。通过这一举措,ST和MACOM旨在解开行业瓶颈并满足对5G扩建的需求。”

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    • Cree, Inc.  近日宣布,科锐正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。为了满足日益增长的对于Cree开创性Wolfspeed技术的需求,以支持电动汽车 (EV)、4G/5G 通信和工业市场的不断增长,Cree于2019年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅 (SiC) 走廊。 科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂将满足车规级标准和200mm工艺。与此同时,位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂 (mega materials factory) 的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显著提升用于Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能,将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。 科锐首席执行官 Gregg Lowe 先生表示:“科锐将在碳化硅 (SiC) 制造和研发方面继续加大投入,以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。”