在华盛顿特区（9月17日至22日）的国际碳化硅及相关材料国际会议（ICSCRM 2017）上，东京三菱电机公司推出碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）被认为是为1200V级功率器件记录功率效率的设置。
半导体功率器件是用于家用电子，工业机械和铁路列车等广泛应用的电力电子设备的关键部件。三菱电机通过利用SiC MOSFET实现高能效等级，满足了在这些领域中必不可少的更高能效和更小尺寸的要求。
电力电子设备的短路可能导致大的过电流流入半导体功率器件，这可能导致损坏或故障。因此，必须尽可能快地中断过多的电流。
该公司表示，其开发团队将进一步完善新设备，旨在使其从2020年开始实现商业化。
