《三星电子展示3D晶圆封装技术 可用于5纳米和7纳米制程》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2020-08-19
  • 据台湾媒体报道,三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”,称这种垂直堆叠的封装方法,可用于7纳米制程,能提高该公司晶圆代工能力。

    图片来自三星电子官方

    三星的3D IC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV),能让速度和能源效益大幅提升,以协助解决次世代应用严苛的表现需求,如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。

    三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技术,确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节点时,也能稳定联通。

    三星称,X-Cube可用于5纳米和7纳米制程。有了X-Cube技术,IC设计师打造符合自身需求的定制化解决方案时,将有更多灵活性。

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    • 编译者:shenxiang
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    • 在先进制程的发展上,台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然,台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米制程。不过,三星也不甘示弱,预计透过新技术的研发,在 2021 年推出 3 纳米制程的产品。根据三星表示,其将推出的 3 纳米制程产品将比当前的 7 纳米制程产品效能提升 35%,能耗也再降低 50%,而且芯片的面积也再减少 45%。 根据外媒报导,三星 14 日于美国加州所举办的晶圆制造论坛 (Samsung Foundry Forum) 上宣布,目前三星正在开发一项名为 ?环绕栅极 (gate all around,GAA) ? 的技术,这个被称为当前 FinFET 技术进化版的生产技术,能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造,使其更小更快。三星指出,预计 2021 年透过这项技术所推出的 3 纳米制程技术,将能使得三星在先进制程方面与台积电及英特尔进行抗衡,甚至超越。而且,能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题,以延续摩尔定律的持续发展。 而根据国际商业战略咨询公司 (International Business Strategies) 执行长 Handel Jones 表示,目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而在 GAA 的技术发展上,三星大约领先台积电 1 年的时间,而英特尔封面则是落后三星 2 到 3 年。三星也强调,GAA 技术的发展能够期待未来有更好的图形技术,人工智能及其他运算的进步,以确保未来包括智能型手机、手表、汽车、以及智慧家庭产品都能够有更好的效能。 事实上,之前三星就宣布将在未来 10 年内投资1,160 亿美元来发展非存储器项目的半导体产业,以成为未来全球的半导体产业霸主。其中,透过 GAA 技术发展的 3 纳米制程技术就是其中重要的关键。三星希望藉此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台积电客户的青睐,以获取更多晶圆生产上的商机。
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    • 编译者:陈方
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    • 用DNA制造3D纳米超导体 纳米超导结构的研究被用于揭示各种物理现象,并带来了广泛的应用。但是由于目前缺乏建立工程三维纳米结构的方法,纳米超导研究大多集中在一维和二维结构上。 2020年11月10日Nature Communication报道,美国能源部布鲁克海文国家实验室研究者成功利用DNA的可编程性制造了3D纳米超导体,该结构将在量子计算和传感中发挥重要作用。 该研究提出了一种“自下而上”的方法,使用基于DNA的自组装方法来创建具有指定多尺度组织的三维超导纳米结构。研究者将八面体DNA骨架与纳米金颗粒结合,通过骨架的顶点连接,组装成三维的DNA超晶格,得到48nm单元胞的立方体超晶格。为了形成超导超晶格,研究者使用化学技术用二氧化硅包被DNA晶格,将其从软的、依赖于液体环境的大分子结构转变为固体结构,成功将DNA超晶格转化为高度结构化的三维二氧化硅支架,然后在其表面包覆超导铌(Nb)。通过低温电性表征,研究证明了这个逐步转化的过程可用于创建约瑟夫森结的3D阵列。 这种3D纳米超导体可用于开发各种应用,如用于测量磁场矢量的三维超导量子干涉器件(SQUIDs)、高灵敏度超导量子干涉滤波器(SQIFs)和用于量子信息系统的参数放大器。 吴晓燕 编译自https://www.sciencedaily.com/releases/2020/11/201110081600.htm 原文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-020-19439-9 原文标题:DNA-assembled superconducting 3D nanoscale architectures