美国西北大学报告了其最近的研究，研究了硒化铟（InSe）垂直场效应晶体管的导电特性。通过阐明InSe中基本的垂直电荷传输机制，这为在垂直异质结构、光伏、光电探测器和相关垂直器件技术中采用InSe提供了指导。
基于欧洲研究小组的最近发现在InSe系激子倾向于具有外的平面偶极子，这可能有助于将平面内光子耦合到波导结构和光纤中。
InSe位于图案化的石墨烯上，顶部漏电极由铬/金（Cr / Au）组成，与InSe形成欧姆接触。InSe薄片在惰性氮气环境中处理，研究了大约14个样品，InSe厚度范围从9.5nm到43nm。在漏极正偏置的情况下，发现石墨烯/ InSe界面具有反向偏置的肖特基势垒，硅背栅调制电流流过势垒，该InSe系被认为是无意的n型导电行为。
随着InSe厚度从9.5nm增加到43nm，最大/最小开/关电流（ION / IOFF）“开关”比增加了50倍。对于较厚的层，InSe开关比为?104，而可比较的黑磷器件的InSe开关比为?50，过渡金属二硫化钨二硒化钨（WSe2）的开关量大于106。
将器件温度从295K降低到190K，使开关比增加了大约六倍。在较厚的InSe薄片中，电导率变化较大，这表明热电子发射行为更强，并穿过势垒上方。相比之下，具有更薄InSe层的器件显示出约100meV的相对恒定的肖特基势垒高度。相对于190K，较厚的InSe VFET在室温下提取的肖特基势垒高度大约增加了两倍。
该分析使研究人员将190K时的离面有效质量定为自由电子的2.57倍。先前的回旋加速器共振和光吸收测量得出的整体InSe值分别为0.25x（20K）至34.3x（200K）。层状材料通常表现出有效质量和载流子迁移率（µ）的较大各向异性，这导致InSe VFET本质上具有较弱的面外传输能力（InSe的μ⊥/μ∥= 0.002）。
