最大的纯化合物半导体晶圆代工厂台湾桃园市WIN半导体公司表示，它正在为其5G前端模块及其PIH1-10砷化镓（GaAs）平台实现全集成单芯片解决方案。 PIH1-10工艺将能够使50GHz功率切换的单片PIN二极管集成到100GHz fT伪电极高电子迁移率晶体管（pHEMT）平台中。该技术提供5G系统所需的发射功率性能和较低的接收机噪声系数。
WIN表示，多功能技术为用户提供了增加片上功能和更高集成度的多种途径。除了单片PIN二极管和高性能pHEMT器件，PIH1-10平台还提供用于混频器或检测器的线性肖特基二极管。当与RF隔离的晶片通孔结合使用时，防潮技术能够在可用的电路板空间有限的情况下实现芯片级封装选项，用于在MIMO功能中进行紧凑的芯片集成。
