《WIN为5G RF前端模块提供完全集成的单芯片GaAs解决方案》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2017-10-17
  • 最大的纯化合物半导体晶圆代工厂台湾桃园市WIN半导体公司表示,它正在为其5G前端模块及其PIH1-10砷化镓(GaAs)平台实现全集成单芯片解决方案。 PIH1-10工艺将能够使50GHz功率切换的单片PIN二极管集成到100GHz fT伪电极高电子迁移率晶体管(pHEMT)平台中。该技术提供5G系统所需的发射功率性能和较低的接收机噪声系数。

    WIN表示,多功能技术为用户提供了增加片上功能和更高集成度的多种途径。除了单片PIN二极管和高性能pHEMT器件,PIH1-10平台还提供用于混频器或检测器的线性肖特基二极管。当与RF隔离的晶片通孔结合使用时,防潮技术能够在可用的电路板空间有限的情况下实现芯片级封装选项,用于在MIMO功能中进行紧凑的芯片集成。

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    • 位于美国加利福尼亚州圣克拉拉市的GlobalFoundries公司(全球最大的半导体代工厂之一,在新加坡,德国和美国都设有运营机构)表示,其45纳米的射频硅-绝缘子(45RFSOI)技术平台已经合格,并准备在美国纽约州东菲什基尔(East Fishkill)的300mm生产线上进行批量生产。目前有多家客户参与了先进RF SOI工艺,该工艺针对5G毫米波(mmWave)前端模块(FEM)应用,也包括未来基站的智能手机和下一代毫米波波束的成形系统。 美国加利福尼亚州圣地亚哥Peregrine半导体公司董事长兼首席技术官Jim Cable评论道:“由于GlobalFoundries在RF SOI解决方案方面的领先地位,使得该公司成为Peregrine下一代RF SOI技术的完美战略合作伙伴”。
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    • 在中国举行的电子设计创新大会(EDI CON China 2019)上,MACOM公司展示了其高性能射频产品组合,包括行业领先的MMIC、二极管、AlGaAs开关、功率放大器、前端模块 (FEM) 和氮化镓器件。还重点展示了在针对5G连接、无线基站、雷达、测试和测量以及工业、科学和医疗(ISM)RF应用方面经过优化的新产品。 具体来说,MACOM突出显示: 可靠的高性能射频组件:展示MACOM的高性能产品组合,可服务于各种市场,如测试和测量、卫星、雷达、有线和无线网络、汽车、工业,医疗和移动设备等市场。 5G连接:适用于 4G/5G的完整产品组合,提供可靠的高性能无线接入前端组件和模块。 启用下一代无线基站:GaN-on-silicon Doherty功放模块,平均功率为60W。 射频能量:MACOM的GaN-on-Si系列产品可提供主流射频应用所需的性能、规模、电源安全性和浪涌能力支持。 相互对照工具:MACOM相互对照工具可协助客户查找所需的MACOM产品。 MACOM公司的产品管理、工程和应用团队成员也亲临了515号展位,解答现场来宾的提问。设备制造商将审查和讨论GaN制造的状态,涵盖可靠性,先进的散热技术,新的封装创新,硅与碳化硅(SiC)基板,毫米波(mmWave)GaN器件等主题的使用 用于各种器件类型的GaN,以及中国GaN半导体生产的状态。