《新书对数据科学进行了易用且实用的介绍》

  • 来源专题:图书情报
  • 编译者: luoluo
  • 发布时间:2020-09-30
  • Facet出版社出版了《面向信息专业人员的实用数据科学》一书,作者是大卫·斯图尔特(David Stuart),他是伍尔弗汉普顿大学(the University of Wolverhampton)的独立信息专业人士和名誉研究员,他定期在同行评审的学术期刊和专业期刊上发表与信息科学、度量和语义网络技术相关的文章。数据科学在信息行业中具有广泛的应用范围,从与研究人员一起发现新知识到应用业务分析应用程序,以使图书馆或图书馆服务更流畅地运行。数据科学的重要性日益提高,信息专业人员在数据的管理和使用中的作用日益增强,这些内容汇集在《信息专业人员实用数据科学》一书中,专门为信息专业人员设计了实用的入门指南。该书旨在通过详细的示例和对真实数据集的分析来让大家零基础入门数据科学,重点是放在开源软件的应用上;该书介绍了一些用于数据分析的主要工具和方法,包括用于预测、社交网络分析和文本分析的工具和方法;该书还提供了适用于全球各种类型图书馆的建议,从大型学术图书馆到小型研究图书馆,旨在减少读者使用书中所学内容的障碍;该书还分析了数据科学的未来以及信息专业人员的作用。

相关报告
  • 《OIPT和LayTec在高容量前端处理方面进行了合作》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2021-04-11
    • 英国等离子蚀刻和沉积处理系统制造商牛津仪器等离子技术公司(Oxford Instruments Plasma Technology,简称OIPT)与德国柏林的现场计量系统制造商LayTec AG宣布,双方已经签署了合作协议,以实现大批量生产(HVM)高端半导体器件的需求。这项关系集成了两家公司的优势,例如LayTec准确精密的控制技术,以及OIPT在晶片处理方面丰富的专业知识。 两家公司会共同努力,将等离子工艺解决方案与成熟的现场计量技术相结合,以提高下一代设备的性能,实现可重复的大批量生产(HVM)工艺,并缩短制造时间和提高成品率。LayTec将开发原位计量技术,而牛津仪器(OIPT)将把LayTec特有的技术融合在其晶片处理解决方案里。 在高效功率转换器市场需求的推动下,基于砷化镓/磷化铟(GaAs/InP)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料的物联网(IoT)和数据通信复合半导体器件正因其优异的性能而变得越来越受欢迎。然而,将技术从小型原型转移到晶圆级HVM仍然是一个挑战。虽然器件尺寸相对较大,但通常复杂的层结构意味着需要在这些层内进行精确的加工,以实现所需的工艺稳定性和产量,并且需要降低每片晶圆的成本。 LayTec的首席执行官Volker Blank说:“这种技术合作伙伴关系使我们能够利用LayTec在数据分析和定制高精度光学计量系统集成方面的专业知识,在传统的核心市场中进一步扩展流程链。我们公司已经为化合物半导体行业的客户提供了超过二十年的服务,我们期待着借这个新的机会进一步优化我们的工艺和设备,来更好的为客户提供支持。” OIPT创新与解决方案总监Frazer Anderson表示:“选择与LayTec合作是我们产品开发策略关键的一步,这也突显了我们致力于为客户提供持续的生产力改进。我们坚定的目标是改进性能和降低所需成本,以支持新兴GaN电源和射频市场的需求。与LayTec的合作将进一步提高我们的能力,使我们能在未来实现这个目标。” 牛津仪器公司将稳定的等离子体处理平台与LayTec的精确端点技术结合在一起,用于等离子体蚀刻应用,可以提高晶片间产量所需的可控性和可重复性。联合开发和独家供应的协议将使两家公司的专家能够开发和提供独特的大批量生产(HVM)解决方案,以满足化合物半导体行业不断发展的需求。这项长期协议将涵盖牛津仪器(Oxford Instruments)等离子蚀刻和沉积系统的全部开发,并共享所产生的知识产权(IP)和协调营销活动的共享权。
  • 《射频N极性GaN金属绝缘体半导体HEMT进行了首次演示》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-04-14
    • 美国加利福尼亚大学分校(UCSB)报告了第一个射频氮极性GaN-on-GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)。使用GaN衬底能够降低位错密度,使在AB模式放大中使用的晶体管典型的低电荷密度下的载流子散射最小化。 N极取向反转了Ga极性结构,特别使移动电荷的沟道层由背势垒而不是顶部势垒引发。N极设备往往具有更高的功率输出,但效率降低。器件的外延结构通过等离子体辅助分子束外延(PAMBE)在轴上半绝缘体GaN上生长。阻挡层由10nm的1nm / 2nm AlN / GaN超晶格组成,并用2nm的AlN覆盖。该结构在20nm UID GaN沟道层中感应出二维电子气。2nm AlN层减少了阻挡界面散射。外延材料用1nm / 1nm AlN / GaN完成。 当沟道载流子密度低时,AB模式放大使晶体管偏向夹断。AB操作降低了耗散损耗,并且当偏置朝向B模式而不是A模式的折衷结束时获得更高的效率,即所谓的“深度”AB偏置。在N极装置中,这种偏置遭受电子迁移率的降低,这显然是由于从背势垒散射而产生的。相比之下,在Ga极性器件中,深AB偏置将电子推离顶部屏障界面。 进行4GHz的负载牵引测量以评估大信号性能。使用AB类偏置,漏极电流为270mA / mm,约为最大值的四分之一(-6V VGS,5V VDQ,Q)。这种优化的功率附加效率在4GHz时与增益进行权衡。输出功率密度达到0.56W / mm。最大PAE为24%。 研究人员希望在缩放和优化设备中实现深度AB偏置。例如,需要增加~15V的栅极-漏极击穿电压,以便在低电荷密度下增加增益和PAE。