JEDEC固态技术协会（为微电子行业制定标准）表示，其最新的主要委员会JC-70（宽频带功率电子转换半导体）已经发布了其第一份出版物——JEP173：基于GaN-Hemt的功率转换器件动态电阻测试方法指南，目前可从其网站免费下载。
JEP173解决了氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）用户群体的一个关键需求，即一种持续测量通态漏源电阻（Rds（on））的方法，包括动态效应。这些动态效应是氮化镓功率场效应管的特征，测量结果的r-ds（on）值与方法有关。
“JEP173证明了氮化镓行业是如何迅速地聚集在一起解决这一重要问题，并开始在供应商之间建立数据表、资格鉴定和测试方法的标准，”JC-70的主席、德州仪器技术创新架构师Stephanie Watts Butler说。“jep173的发布将有助于通过确保整个供应商群的一致性，加速整个行业对gan的采用。”
JC-70成立于2017年10月，拥有23家成员公司，目前拥有50多家成员公司，突出了行业对制定通用标准的兴趣，以帮助推动宽带隙（WBG）电力技术的采用。来自美国、欧洲、中东和亚洲的全球跨国公司和技术初创公司正在共同努力，为业界提供一套WBG功率半导体的可靠性、测试和参数化标准。委员会成员包括功率氮化镓和SiC半导体行业的领导者，以及宽频带功率器件的潜在用户，以及测试和测量设备供应商。来自大学和国家实验室的技术专家也为新的JEP173指南提供了投入。
英飞凌Coolgan项目高级顾问、JC-70.1小组委员会主席蒂姆•麦克唐纳评论说：“委员会成员必须作出强有力的承诺来完成这项工作，以建立通用标准，以帮助推动宽带电力技术的采用。”“我们的工作组正在努力在测试、可靠性和数据表领域的其他主要GAN和SIC准则方面取得进展。”
