JEDEC固态技术协会宣布，已经发布《JEP184标准：评估碳化硅金属氧化物半导体（MOS）器件偏置温度不稳定性指南》。JEP184由JEDEC的JC-70.2碳化硅小组委员会编写，可从JEDEC网站免费下载。
JEP184明确了相关定义和程序，以描述SiC功率电子转换半导体器件的阈值电压不稳定性，其栅极介电区偏置以控制器件导通和关断。
偏置温度不稳定性（BTI）涉及阈值电压（VT）和其他器件参数的变化，例如，导通状态下的电阻和截止状态下的泄漏电流随应力时间，应力电压和应力温度的变化。SiC MOSFET中BTI的评估尤其具有挑战性，因为所测量的阈值偏移可能由不同的成分组成，例如长期VT漂移，瞬态VT变化和磁滞行为或磁滞变化。新的出版物为应力程序提供了指南，该程序能够区分不同的位移分量，并能够测量其随时间变化的稳定性，如受栅极偏置和温度的影响。
JEP184还遵循JEDEC在1月份发布的《JEP183：SiC MOSFET的阈值电压（VT）的测量准则》。这两个密切相关的指南一起为业界提供了相关标准，有助于评估和测量偏置温度不稳定性（BTI）涉及阈值电压（VT）和其他器件参数的变化，以及准确测量SiC MOSFET的VT。
JC-70.2小组委员会主席Jeffrey Casady博士指出:“对于采用SiC功率MOSFET的汽车和工业市场来说，BTI是经常需要关注的话题。JEP184的发布解决了这一领域的关键需求，JC-70.2非常高兴能够参与BTI的编写制定。”
JC-70.2小组委员会副主席Peter Friedrichs博士说：“JEDEC JC-70委员会很高兴将JEP184添加到我们已经发布的系列标准中。在1月发布针对SiC特定测试程序（VT）的第一份指南（JEP183）之后，我们很高兴能够再撰写一系列与可靠性相关的文件。”
JC-70宽禁带功率电子转换半导体委员会于2017年10月由23家成员公司共同成立，目前拥有60余家成员公司，包括来自美国、欧洲、中东和亚洲的全球跨国公司和技术初创公司，覆盖GaN和SiC功率半导体的行业领导者、宽禁带功率器件的潜在用户及测试和测量设备供应商。JC-70下设两个小组委员会，分别是JC70.1 GaN功率电子转换半导体标准小组委员会和JC70.2 SiC功率电子转换半导体标准小组委员会。委员会致力于开发通用标准以促进宽禁带(WBG）功率技术被更广泛地采用，研究领域包括可靠性和认证流程、参数表(Datasheet）和性能参数、测试和特性表征方法。
JEDEC表示，欢迎全球有兴趣的公司加入它参加这项标准化工作。下一次JC-70委员会会议将于5月18日在网络平台上举行。
