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《了解moS2的缺陷对其性质的影响》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2018-01-01

  • 基础科学研究所（IBS）的纳米结构物理中心的研究人员已经表明，单层二硫化钼（MoS2）的缺陷表现出电学转换，为这种材料的电学性质提供了新的见解。由于二硫化钼是最有前途的2D半导体之一，预计这些结果将有助于其未来在光电子中的应用。

    在IBS中，物理学家，材料科学家和电子工程师团队紧密合作，利用原子力显微镜（AFM）和噪声分析相结合，研究MoS2单层中硫空位的电子性质。科学家使用金属AFM尖端来测量噪声信号，即通过放置在金属基底上的单层MoS2的电流变化。

    “这项研究开辟了开发新的噪声纳米光谱设备的可能性，该设备能够在2D材料的广泛区域上绘制纳米尺度上的一个或多个缺陷。”相关作者Young Hee Lee总结说。

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相关报告

  • 《Science | 全面解析pre-TCRα缺陷对T细胞发育的影响》
    • 来源专题：战略生物资源
    • 编译者：李康音
    • 发布时间：2024-03-13
    • 2024年2月29日，巴黎内克尔儿童医院Vivien Béziat通讯在Science发表题为The immunopathological landscape of human pre-TCRα deficiency: From rare to common variants的文章，对人类前T细胞受体α（pre-TCRα）缺乏症的免疫病理学状况进行了全面的检查，揭示了前TCR a在人类T细胞发育中的作用及其缺失或部分损伤的临床意义。研究人员在七个家族中发现了罕见的双等位基因功能丧失PTCRA变体，提出尽管前TCRα对小鼠的αβT细胞发育至关重要，但其在人类中的作用仍有待研究。 具有双等位基因功能丧失PTCRA变体的患者显示出较小的胸腺和较低的循环na?ve αβT细胞计数，但他们的记忆αβT淋巴细胞计数正常，这表明pre-TCRα可能不是人类αβT细胞核发育所必需的。这一观察结果与pre-TCR α缺陷小鼠中出现的严重αβT细胞缺陷形成对比。 该研究还确定了两种常见的亚形态PTCRA突变，p.Tyr76Cys和p.Asp51Ala，它们是纯合子中部分pre-TCRα缺乏的原因。p.Asp51Ala变体的纯合性被鉴定为自身免疫的风险因素：与普通人群相比，这些患者的自身免疫发生率明显更高。对pre-TCR α缺乏症患者免疫表型的进一步研究表明，虽然pre-TCR完全缺乏症的新生儿CD3+T细胞计数较低，但这些计数随着时间的推移而正常化，这表明T细胞发育受损但并未完全停止。完全pre-TCR α缺乏的患者具有高的初始γδ和低的初始αβT细胞数量，表明其胸腺输出向γδT细胞转移。 该研究还强调，pre-TCR α缺乏会损害体外TCRαβ+T细胞的产生，但不会损害TCRγδ+T细胞，这表明在缺乏pre-TCR α的情况下，αβT细胞的发育可能存在其他途径。对αβT细胞中TRAD基因座的测序显示，其近端TCRδ1富集，远端MAIT细胞重排缺失，这表明在缺乏pre-TCRα的情况下，TCRα链主要是通过TCRΔ1模板的重排产生的。 总体而言，此研究结果强调了人类免疫系统的复杂性，以及代偿关键成分（如pre-TCRα）缺损的替代机制的潜力。该研究强调了了解pre-TCR α在人类T细胞发育中的作用及其缺乏的临床意义的重要性，为未来的免疫学研究和治疗干预提供了有价值的见解。
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  • 《科学家在1T''' MoS2结构解析与其非线性光学性质研究中取得进展》
    • 来源专题：中国科学院亮点监测
    • 编译者：yanyf@mail.las.ac.cn
    • 发布时间：2019-04-06
    • 二硫化钼作为层状过渡金属硫化物的典型代表，具有非常丰富的晶体结构，包括2H、3R、1T、1T'和1T'''等。在这几种不同相中，2H MoS2的制备较为简单，在电催化、光电探测、储能、超导等领域都取得非常多的研究成果。然而近几年来，理论学家通过计算预测了亚稳相1T'和1T''' MoS2具有非常奇特的物理特性，如：量子自旋霍尔效应和二维铁电性。相关奇特的物理性质促使该类亚稳相二硫化钼成为目前的研究热点。但是该类亚稳相二硫化钼晶体结构处于热力学不稳定状态，在高温下会转变为2H MoS2，使得该类材料的物理化学性质尚未得到研究。因此，亚稳相二硫化钼的制备与结构解析具有重要的科学意义。 　　近日，中国科学院上海硅酸盐研究所光电转换材料与器件研究课题组与北京大学、上海交通大学、华中科技大学合作，采用拓扑化学法制备出1T''' MoS2晶体并首次解析出其晶体结构。鉴于1T''' MoS2具有非对称中心的结构，合作团队进而研究了其非线性光学效应。采用不同波长的激光对单片1T''' MoS2晶体进行二次谐波响应测试，发现其在波长为850nm的激发光下具有最强的响应强度。在此基础上，合作团队测试了偏振二次谐波响应，测试得到的图像呈六角花瓣状，与其本征晶体结构中的三次对称轴相对应。相关研究成果以Structural Determination and Nonlinear Optical Properties of New 1T'''-Type MoS2 Compound 为题发表于国际期刊《美国化学会志》（J. Am. Chem. Soc. 2019 DOI: 10.1021/jacs.8b12133)，论文共同第一作者为上海硅酸盐所在读博士生方裕强、华中科技大学在读博士生胡晓宗与上海硅酸盐所光电转换材料与器件研究课题组助理研究员赵伟，共同通讯作者为上海硅酸盐所研究员黄富强、华中科技大学教授翟天佑及上海交通大学教授刘攀。该研究成果为亚稳相二维材料体系的研究提供了研究基础与新的思路。 　　上述研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国科学院和上海市科委等的资助。
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