《全球首座第四代核电站投入商运》

  • 来源专题:能源情报网信息监测服务平台
  • 编译者: guokm
  • 发布时间:2023-12-06
  • 12月6日,国家重大科技专项标志性成果、全球首座第四代核电站——华能石岛湾高温气冷堆核电站示范工程正式投入商业运行,标志着我国在第四代核电技术研发和应用领域达到世界领先水平。

    该示范工程位于山东荣成,于2012年12月正式开工,由中国华能联合清华大学、中核集团共同建设,具有完全自主知识产权,2021年12月首次实现并网发电。

    高温气冷堆是国际公认的第四代先进核电技术,最突出的优势是具有“固有安全性”,即在丧失所有冷却能力情况下,不采取任何干预措施,反应堆都能保持安全状态,不会出现堆芯熔毁和放射性物质外泄。在发电、热电冷联产及高温供热等领域商业化应用前景广阔。

    示范工程集聚了设计研发、工程建设、设备制造、生产运营等产业链上下游500余家单位,先后攻克了多项世界级关键技术,设备国产化率达到93.4%,首台套设备2200多台(套),创新型设备600多台(套)。示范工程的投产,对促进我国核电安全发展、提升核电科技创新能力水平等具有重要意义。

  • 原文来源:https://www.in-en.com/article/html/energy-2329382.shtml
相关报告
  • 《我国第四代核电技术达到世界领先水平——打开核电发展新空间》

    • 来源专题:可再生能源
    • 编译者:武春亮
    • 发布时间:2024-01-11
    • 我国第四代核电技术达到世界领先水平——打开核电发展新空间 发布时间:2024-01-05 来源:经济日报大 中 小   国家重大科技专项标志性成果、全球首座第四代核电站——山东荣成石岛湾高温气冷堆核电站商业示范工程日前圆满通过168小时连续运行考验,正式投入商业运行,标志着我国在第四代核电技术研发和应用领域达到世界领先水平。   高温气冷堆是指具有高温特征、使用气体进行堆芯冷却的核反应堆技术。高温气冷堆核电站重大专项总设计师、清华大学核能与新能源技术研究院院长张作义表示,高温气冷堆是国际公认的第四代核电技术先进堆型,是核电发展的重要方向,具有“固有安全性”,即在丧失所有冷却能力的情况下,不采取任何干预措施,反应堆都能保持安全状态,不会出现堆芯熔毁和放射性物质外泄。同时,高温气冷堆所具有的固有安全性、发电效率高、应用领域广等优良性能,使其在核能发电、热电冷联产及高温工艺热应用等领域商业化应用前景广阔,将有助于优化能源结构、保障能源供给安全,推动实现“双碳”目标。   石岛湾高温气冷堆示范工程于2012年12月正式开工,由中国华能、清华大学、中核集团共同建设,具有完全自主知识产权。2021年12月首次实现并网发电,本次是在稳定电功率水平上正式投产转入商业运行。示范工程集聚了设计研发、工程建设、设备制造、生产运营等产业链上下游500余家单位,先后攻克了多项世界级关键技术,设备国产化率达到93.4%,创新型设备600多台(套)。依托该示范工程,我国系统掌握了高温气冷堆设计、制造、建设、调试、运维技术,培养了一批具备高温气冷堆建设和运维管理经验的高素质专业人才队伍,形成了一套可复制、可推广的标准化管理体系,并建立起以专利、技术标准、软件著作权为核心的自主知识产权体系。   示范工程投产,对促进我国核电安全发展、提升我国核电科技创新能力水平等具有重要意义和积极影响。华能石岛湾核电公司总经理张延旭表示,通过集中产业链上下游优势资源联合开展技术攻关,示范工程成功研制出2200多套世界首台(套)设备,研发了高温气冷堆特有的调试运行六大关键核心技术,巩固了我国在高温气冷堆先进核电技术领域的全球领先地位。   为充分发挥核电碳减排的作用和能力,助力实现“双碳”目标、保障电力系统安全稳定,核电的装机比重需要进一步提高。《中共中央 国务院关于完整准确全面贯彻新发展理念做好碳达峰碳中和工作的意见》和《国务院关于印发2030年前碳达峰行动方案的通知》均明确指出,积极安全有序发展核电。核电发展再次迎来历史机遇期。据测算,2060年电力系统要实现碳中和,非化石能源发电占比应达到90%以上,核电发电量应接近20%。   专家表示,安全如期达成“双碳”目标,核电“蓄能”势在必行。“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出,开展山东海阳等核能综合利用示范,为我国核能产业发展开辟了新赛道。下一步,核能还需要在电力调峰、核能制氢、核能供汽、核能供暖、海水淡化等方面发挥更大作用。(记者 王轶辰) .
  • 《ROHM推出第四代SiC MOSFET》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-06-21
    • 功率半导体制造商ROHM Semiconductor日前宣布退出其1200V第四代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET),适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。 近年来,新一代电动汽车(xEV)的普及加速了更小、更轻、更高效的电气系统的开发。特别是在提高效率同时减小主逆变器的尺寸,仍然是最重要的挑战,需要功率器件的进一步发展。 为了解决充电时间和续航问题,设计人员迫切需要能够提供高击穿电压且损耗低的SiC功率器件。ROHM于2010年在全球率先开始了SiC MOSFET的量产,并且很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容,并在车载充电器等领域拥有很高的市场份额。 对于功率半导体,总在低导通电阻和短路耐受时间之间权衡取舍。因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。研究人员已证明在SiC MOSFET中采用沟槽结构可以有效降低导通电阻,但有必要减轻沟槽栅极部分产生的电场,以确保器件的长期可靠性。ROHM采用了独特的双沟槽结构,可最大程度地减小电场集中,与上一代SiC MOSFET相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%。而且,通过大幅减少寄生电容,与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约50%。 因此,ROHM的新型第四代SiC MOSFET能够提供低导通电阻和高速开关性能,从而助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。裸芯片样品已于6月提供,未来将提供分立封装。