《用于自旋电子学的新型纳米级设备》

  • 来源专题:后摩尔
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2021-04-29
  • 自旋波可以解锁下一代计算机技术,一个新的组件可以让物理学家实现对它的控制。阿尔托大学的研究人员开发了一种自旋电子学的新装置。该成果已发表在《自然-通讯》杂志上,标志着向利用自旋电子学制造数据处理和通信技术的计算机芯片和设备,使其体积小而功能强大的目标迈出了一步。

    传统的电子技术使用电荷来进行计算。然而,工程师们无法让电子器件更快地进行计算,因为移动电荷会产生热量,散热的局限性让芯片的体积和速度已经到了极限。由于电子器件无法变小,人们担心计算机无法以过去70年的速度变得更强大、更便宜,而自旋电子学可能是解决方案。"自旋"和 "电荷 "一样,是电子等粒子的一种属性。研究人员对使用自旋来进行计算感到兴奋,因为它避免了目前计算机芯片的发热问题。如果使用自旋波来运算,那运用的是自旋的转移,不需要移动电荷,所以不会产生热量。

    该团队制作的装置是法布里-佩罗谐振器,它是光学领域的一种著名工具,用于制造具有严格控制波长的光束。研究人员在这项工作中制作的自旋波版本使他们能够在直径只有几百纳米的器件中控制和过滤自旋波。

    这些器件是通过将具有奇异磁性的材料的极薄层相互夹在一起制成的。这就创造了一种装置,如果材料中的自旋波不是所需的频率,它们就会被捕获并被抵消。这个概念很新,但很容易实现,诀窍是制造出优质的材料。

    加速电子器件的问题不仅仅是过热,它们还造成了无线传输的复杂化,因为无线信号需要从其较高的频率转换到电子电路能够处理的频率。这种转换会减慢这个过程,并且需要能量。自旋波芯片能够在移动电话和Wi-Fi信号中使用的微波频率下工作,这意味着它们在未来有很大的潜力用于更快、更可靠的无线通信技术。

    此外,自旋波还可以在特定任务中以比电子计算更快的方式进行计算。电子计算使用布尔或二进制逻辑来进行计算,对于自旋波,信息是以波的振幅来携带的,这就可以进行更多模拟风格的计算。这意味着,它对图像处理或模式识别等特定任务非常有用。它的尺寸结构意味着应该很容易集成到现有的技术中。

    该团队已经有了过滤和控制自旋波的谐振器,接下来的步骤是为它们制作一个完整的电路。为了构建一个磁力电路,需要能够引导自旋波走向功能元件,就像电子微芯片上的导电电通道那样。研究团队正在研究制作类似的结构来引导自旋波。

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    • 来源专题:纳米科技
    • 编译者:郭文姣
    • 发布时间:2019-10-10
    • 尽管David K Ferry博士已经积极参与开发世界上最小的晶体管,但1977年以后纳米电子才投入使用。当时被称为“超小型设备”的领域尚处于起步阶段,费里博士的研究团队是研究小型电子设备极限的仅有的四个精选小组之一。 如今,费里博士领导着位于坦佩的亚利桑那州立大学(ASU)的纳米结构研究小组,该小组汇集了致力于纳米光刻技术,纳米结构物理学和超小型半导体器件研究的全体教职员工。 该小组隶属于大学工程学院的固态电子研究中心,该校的校友在整个工业界和学术界的纳米电子领域构成了重要的支持者。他们目前的兴趣在于各种材料的量子点,量子线和超小型半导体器件领域。 该小组在这些非常小的装置中进行了许多有关量子传输的理论研究。例如,它们参与了低温下称为扫描门显微镜的过程。 该系统安装在大型低温冷却器中,该低温冷却器是一个带有氦3冷却系统,氦分子同位素的密闭容器,该氦分子的温度降至300毫开尔文或比室温低1000倍,大约为一比绝对零高半度。 冷却器内装有真空夹套,因此热量无法传递,并且可以防止周围室温降低冷气。通常,使用原子力显微镜时,人们会沿着表面移动悬臂,然后记录悬臂越过表面地形的位置变化。 Ferry博士的团队正在使用一种称为压电传感器的过程,该过程中,AFM悬臂式吸头用非常薄的金属层金属化,因此可以对其施加电压。当尖端移动时,它会在整个平面上产生一个电压,该电压经过测量以确定某些机械性能值。这种技术是四,五年前在哈佛大学开发的。 需要高水平的隔振 在测量很少的埃或纳米位移的过程中,至关重要的是,将仪器固定在其上的绝对稳定的表面。如果表面不稳定,则任何与仪器机械结构耦合的振动都会引起垂直噪声,并且基本上无法测量这些高分辨率的特征。 Ferry博士补充说,系统中的任何形式的振动噪声都会导致AFM悬臂尖端的运动,并且会获得错误的数据和不良信号。与大多数大学应用程序相比,Ferry博士走得更远,因为它们将大型磁铁集成到系统中,例如哈佛大学正在投入运行。 磁铁有助于观察不同类型的运输。可以打开磁体,可以看到半导体的磁传输。完全是一种完全不同的运输方式。图1显示了位于负刚度隔振桌上的ASU杜瓦瓶,图2显示了杜瓦瓶的顶部。 整个系统不仅需要隔离,还必须隔离。给定研究参数,需要极高的隔振等级。该团队正在从实验中获得现代电子设备。 费里博士的研究范围: 量子点和量子器件的电子束光刻技术的应用包括在非常低的温度和高磁场下进行量子弹道传输,以及在室温下真实器件中的量子经典跃迁和量子效应的作用。 磁传输研究用于探测半导体量子点中电子动力学的性质,半导体量子点是准零维结构,其大小与电子本身的费米波长相当。图4显示了一个量子点触点的AFM图像,显示了隔离台。 使用扫描俄歇微探针进行表面化学分析。在良好条件下,可以获得约25 nm的横向分辨率。 该小组的Michael Kozicki教授研究了化学增强气相蚀刻(CEVE)图案化技术。他使用了实验室空气或真空室环境中的碳氢化合物污染层,并成功演示了二氧化硅中纳米级图案的形成。 已经开发了直接耦合到UHV STM / AFM设备的氮气室,用于CEVE处理二氧化硅抗蚀剂,并将其用于半导体器件制造中。在氮气室中,有一个用于实际CEVE开发的处理系统。 负刚度隔离器 负刚度隔离器的主要优点是它没有通电,也没有电。 因此,在可能会产生热量的地方(例如封闭的低温室),负刚度成为一种高效的选择。 负刚度隔离器在低频隔振中使用机械原理。 垂直运动隔离由支撑负重的刚性弹簧与负刚度机构(NSM)结合提供。 与垂直运动隔离器串联的梁柱可提供水平运动隔离。 梁柱的水平刚度通过“梁柱”效应而降低。 负刚度隔离器提供的功能在纳米技术领域中是非常独特的,特别是负刚度隔离器的可传递性,即根据地板振动测量的通过隔离器的振动,这基本上是 改进了主动隔离系统。 即使有源隔离系统从根本上没有谐振,但其传输能力却不会像负刚度隔离器那样快速下降。 图5通过透射率显示了负刚度隔离性能 与其他实验室研究仪器相比,在过去10年中,AFM使用量的增长非常广泛。自1988年成立以来,它一直被证明是推动纳米技术研究前进的关键工具。 如今,晶体管的临界尺寸降低到约25纳米。最关键的尺寸是氧化物厚度,为1纳米。当您考虑必须在300毫米的横向尺寸上控制1纳米的垂直厚度时,即与8幂的差为10。有效隔振的需求从未如此迫切,并且随着纳米工业的发展,将继续变得越来越苛刻。 关于Minus K Technology MinusK®Technology,Inc.成立于1993年,以专利负刚度技术为基础,开发,制造和销售最先进的隔振产品。 MinusK®位于洛杉矶地区。 以前以商品名Nano-K®出售的MinusK®产品是一项重要的使能技术。通过将建筑物和地板的振动降低到前所未有的水平,这些系统使振动敏感的仪器和设备能够以前所未有的水平运行。 它们被广泛应用,包括纳米技术,生物科学,半导体,材料研究,航天器的零重力仿真以及高端音频。 MinusK®是扫描探针显微镜,显微硬度测试仪和其他对振动敏感的仪器和设备的领先制造商的OEM供应商。 MinusK®的客户包括私营公司以及43个国家/地区的200多家领先的大学和政府实验室。 David L. Platus博士是该技术的总裁兼创始人,并且是该技术的主要发明者。他获得了理学学士学位和博士学位拥有加州大学洛杉矶分校的工程学博士学位,以及(核)反应堆技术的橡树岭学院的文凭。在创立MinusK®Technology之前,他曾在核能,航空航天和国防工业中从事并指导结构机械系统中的分析和设计项目。他于1988年成为独立顾问。Platus博士拥有20多项与冲击和振动隔离相关的专利。
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    • 来源专题:纳米科技
    • 编译者:郭文姣
    • 发布时间:2019-03-07
    • 研究人员首次展示了一种新方法,可以比目前的商业设备快3个数量级,实现对未来计算至关重要的功能。由副教授大叶信部(Shinobu Ohya)领导的研究小组发明了一种纳米级自旋电子半导体器件,这种器件可以在特定的磁态之间以每秒数万亿次(太赫兹——THz)的速度进行部分切换,远远超过目前器件的频率。 你很有可能在这十年的某个时候买了一台电脑或智能手机。当你看描述时,你可能已经注意到这样的设备的速度通常是用千兆赫(GHz)来测量的。目前大多数设备的频率都在几吉赫兹左右。但是进步在加速,人们正在寻找新的方法来提高我们设备的频率和性能。为此,来自东京大学工程研究生院和前沿科学研究生院的研究人员探索了自旋电子学这一新兴领域。 “我希望我们的研究能带来基于自旋神经元的逻辑和记忆设备,”Ohya说。几十年内,人们应该会看到自旋电子智能手机和数据中心。我们将在人工智能等领域实现令人难以置信的性能提升。 自旋电子学,又称“自旋电子学”,利用电子的一种称为自旋的固有特性来执行功能。例如,计算依赖于物理材料的可切换状态作为传递信息的一种方式。众所周知,组成二进制代码的1和0是由通信线路中的电压水平或硬盘中磁性金属的磁性状态来表示的。状态间的切换越快,设备的性能就越好。在自旋电子器件中,离散自旋磁化状态表示二进制数字。 研究人员创造这一特性的一种方法是用一种特殊的磁性材料,用一种短而高频的太赫兹脉冲辐射,类似于机场的人体扫描仪。辐射翻转这种材料中的电子自旋——铁磁砷化锰(MnAs)——从而使其磁化速度在1皮秒内比微芯片中的晶体管开关快3个数量级。其他研究人员以前也尝试过,但是磁场对脉冲的响应只有1%,太小了,没有实际用途。 然而,现在Ohya和他的团队成功地证明了在太赫兹脉冲作用下,MnAs纳米颗粒的磁化强度发生了更大的变化。20%的高反应意味着它在研究中更有用,并暗示了未来可能的应用。他们的技巧是利用太赫兹电磁辐射的电分量而不是磁分量。 “到目前为止,该领域的研究人员使用铁磁金属薄膜来研究太赫兹的磁化调制,但这些薄膜阻碍了辐射的能量,”Ohya说。“相反,我们将铁磁纳米颗粒嵌入100纳米厚的半导体薄膜中。这大大减少了辐射的阻碍,使得太赫兹电场均匀地到达并翻转纳米粒子的自旋,从而使其磁化。 ——文章发布于2019年3月5日