《原子精确的金纳米团加速了在MoS2纳米片上的氢进化:双重界面效应》

  • 来源专题:纳米科技
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2017-07-28
  • 通过电催化水分裂产生的氢能对未来的能源革命有着巨大的前景。设计丰富高效的催化剂,实现氢进化反应的机械理解是可取的。本文介绍了一种通过引入金纳米簇作为催化剂来提高钼二硫化物的性能的策略。普通二硫化钼nanosheets相比,Au25(SR)18 /二硫化钼纳米复合材料表现出增强她的活动小发作的潜力−0.20 V(vs可逆氢电极)和马高电流密度为59.3厘米−2−0.4 V的潜在除了界面相互作用制备和二硫化钼、Au25核心之间的界面和表面配体(硫醇盐vs selenolate)也发现明显影响催化性能。这项工作突出了金属纳米团的前景,通过调整金纳米团和MoS2纳米片之间的界面电子相互作用,以及金属核心和表面配体之间的界面,提高了她的性能。

    ——文章发布于2017年7月24日

相关报告
  • 《梳理纳米线》

    • 来源专题:纳米科技
    • 编译者:郭文姣
    • 发布时间:2019-07-03
    • 我们的细胞让机器变得舒适。可嵌入传感器记录神经元如何以及何时发射;电极激发心脏细胞击败或脑细胞射击;类神经元装置甚至可以促进植入大脑后更快的再生长。 很快,所谓的脑机界面可以做得更多:监测和治疗帕金森病等神经系统疾病的症状,提供设计人工智能的蓝图,甚至可以实现脑 - 脑通信。 为了实现可达到的和不切实际的,设备需要一种方法来逐字深入我们的细胞以进行侦察。我们对神经元如何工作的了解越多,我们就越能用我们的机器模拟,复制和处理它们。 现在,在Nature Nanotechnology上发表的一篇论文中,Joshua和Beth Friedman大学教授Charles M. Lieber介绍了他最初用于细胞内记录的纳米级设备的更新,这是第一个用于记录活细胞内电子颤动的纳米技术。九年后,利伯和他的团队设计了一种方法,可以同时制造数千种这样的设备,创建一支纳米级军队,可以加快努力,找出我们细胞内发生的事情。 在利伯的工作之前,类似的设备面临着金发姑娘的难题:太大了,他们会记录内部信号但杀死牢房。太小了,他们没能穿过细胞膜 - 录音结果嘈杂而且不精确。 利伯的新纳米线恰到好处。在2010年设计和报告,原件有一个纳米级“V”形尖端,在“V”底部有一个晶体管。这种设计可以穿透细胞膜,并在不破坏细胞的情况下将准确的数据发送回团队。 但有一个问题。硅纳米线的长度远远超过它们的宽度,使得它们摇摆不定并且难以缠结。 “它们和煮熟的面条一样灵活,”Lieber实验室的研究生Anqi Zhuang说道,他是该团队最新工作的作者之一。 为了制造原始设备,实验室成员必须同时捕获一条纳米线面条,找到“V”的每个臂,然后将线编织到记录设备中。一对设备用了2到3个星期。 “这是非常繁琐的工作,”庄说。 但纳米线一次不制成一个;它们就像它们类似的东西一样集中制造:熟意大利面。利用利伯用于制造第一根纳米线的纳米团簇催化气 - 液 - 固方法,该团队建立了一个环境,使电线可以自行发芽。它们可以预先确定每根导线的直径和长度,但不能预先确定导线的位置。即使它们一次生长数千甚至数百万纳米线,最终的结果却是一堆看不见的意大利面条。 为了解开这个烂摊子,利伯和他的团队为他们松散的煮熟的面条设计了一个陷阱:他们在硅片上制作U形沟,然后在表面上梳理纳米线。这种“梳理”过程解开了混乱,并将每根纳米线沉积成一个整齐的U形孔。然后,每条“U”曲线都得到一个微小的晶体管,类似于它们的“V”形器件的底部。 通过“梳理”方法,利伯和他的团队在相同的时间内完成了数百个纳米线设备。 “因为它们非常一致,所以它们很容易控制,”张说。 到目前为止,张和她的同事们已经使用“U”形纳米级装置记录培养物中神经细胞和心脏细胞的细胞内信号。涂有模仿细胞膜感觉的物质,纳米线可以最小的努力或对细胞的损害穿过这个屏障。并且,它们可以记录与其最大竞争对手相同的精确度的细胞内颤振:膜片钳电极。 贴片钳电极比纳米线大约100倍。顾名思义,该工具会夹住细胞膜,造成不可逆转的损害。膜片钳电极可以捕获细胞内电信号的稳定记录。但是,张说,“记录后,细胞就会死亡。” Lieber团队的“U”形纳米级设备对其细胞宿主更友好。 “它们可以并行插入多个细胞而不会造成损害,”张说。 现在,这些设备非常温和,在记录约10分钟后,细胞膜会将它们推出。为了扩展这个窗口的下一个设计,团队可能会在尖端添加一些生化胶水或使边缘变粗糙,以便导线接近膜。 纳米级器件相对于膜片钳具有另一个优势:它们可以并行记录更多细胞。使用夹具,研究人员可以一次只收集一些细胞记录。在这项研究中,张一次记录了多达10个细胞。 “可能会有更多,”她说。他们一次可以记录的细胞越多,他们就越能看到细胞网络如何在生物中相互作用。 在扩展纳米线设计的过程中,该团队也碰巧证实了一个长期存在的理论,称为曲率假设。在利伯发明了第一批纳米线之后,研究人员推测纳米线尖端的宽度(“V”或“U”的底部)会影响电池对电线的响应。在这项研究中,该团队尝试了多条“U”曲线和晶体管尺寸。结果证实了最初的假设:细胞像一个狭窄的尖端和一个小晶体管。 “包括我们自己在内的许多科学之美在推动假设和未来工作方面面临着诸多挑战,”利伯说。随着它们背后的可扩展性挑战,该团队希望捕获更精确的记录,可能是在亚细胞结构内,并记录生物中的细胞。 但对于利伯来说,一个脑机挑战比其他所有人更具吸引力:“将机器人带入现实。” ——文章发布于2019年7月1日
  • 《纳米 letters:缺陷诱导mos2纳米带外延生长及其高效光催化制氢》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2017-11-02
    • 引言 近年来,随着经济的迅猛发展,我国对能源的需求日益增加。目前,人类仍主要依赖于化石燃料提供能源,过度使用化石燃料已造成严重的能源和环境问题,寻求清洁的可再生能源迫在眉睫。氢气作为一种高效清洁的二次能源载体,被誉为未来的石油。开发和利用无污染的氢能源是替代化石燃料的一种最佳途径,因此受到了各国的高度关注。水分解制氢是以自然界取之不尽的水为原料,通过电催化分解水的方式生成氢气,因此是一种安全、绿色、有效的制氢方法。但是目前全球仅有20%左右的氢气来自于水分解,其主要原因是水分解过度依赖稀有金属做催化剂,比如铂、铱和铑。而这些稀有金属储量少、价格昂贵,无法满足工业生产需要。近年来,寻找价格低廉、自然界储量高的析氢催化剂成为了能源、材料、凝聚态物理、化学等诸多领域的研究热点。 光催化制氢是一种开路的光电化学反应,主要通过光驱动半导体材料生成电子/空穴对,电子传输到析氢催化剂然后与水反应生成氢气。以电子作为媒介,这种策略实现了光能到化学能的直接转换,是一种能够从根本上替代化石燃料的人工光合技术,因此称为可持续“光子”经济效应。过去二十年,研究的焦点主要集中在如何改性半导体材料,缩小带隙,增加光捕获能力,提高光生电子效率上,而对于析氢催化剂的研究,主要以负载铂为主。直到越来越多的廉价的、高活性的析氢催化剂被报道后,人们才开始考虑从析氢催化剂入手,降低光催化制氢的成本。早在20世纪70年代,就有关于MoS2催化析氢反应的报道。然而块体的MoS2由于导电性差、活性位点少导致催化性能差,因此之后的很长一段时间,关于MoS2 的析氢反应催化剂都无人问津。直到2005年,Hinnemann等发现MoS2的Mo边界结构与固氮酶的析氢反应活性位点的结构极为相似,可能具有很高的析氢反应催化活性,且这种类石墨烯二维材料具有超高的比表面积和低廉的价格等优点,拥有巨大的商业价值。但是相对于金属铂,MoS2是二维结构的半导体材料,与光催化剂结合时,异质结界面区域较小且电荷传输迟缓,如何通过纳米结构的调控提高MoS2析氢活性是推动这种无铂开路光催化反应的关键。针对这一关键科学问题,张侃教授通过MoS2定向附着生长机制成功制备了非对称与对称MoS2末梢焊接CdS纳米线(tipped structure分别发表于Adv. Func. Mater. 26 (2016) 4527,Nano. Energy. 34 (2017) 481上),在420nm波长下获得了37.6%的量子效率。然而,铂末梢焊接CdS纳米线在光催化制氢反应中的量子效率已经接近100%,因此,就电荷传输效率而言,MoS2跟铂之间仍存在很大的差距。 成果简介 近日,南京理工大学张侃教授依托曾海波教授的工信部重点实验室,与美国斯坦福大学,韩国延世大学,韩国成均馆大学,韩国科学研究院展开多方等合作,通过缺陷诱导的外延生长法,成功合成出了[001]取向的MoS2纳米带/[0001]取向的CdS纳米线的共轴异质结构。这种外延的异质结构在420nm下,达到了79.7%的光生氢气的量子效率,并在520nm极限吸收边界下,仍然拥有9.67%的量子效率。结果表明,CdS纳米线表界面的缺陷种类是间隙金属Cd0,并集中在CdS的(110)晶面上。而CdS(110)晶面上的(101)的晶格间距与MoS2(002)晶面的晶格间距匹配度高达99.7%,通过间隙金属Cd,成功形成了共轴,且与轴向成~30°夹角的MoS2纳米带/CdS纳米线的外延结构。通过低损耗的电子能量损失谱,进一步证实了一个不同于CdS和MoS2纳米带的界面组分,随后的密度泛函理论模拟揭示了这种特殊的界面具有金属特性,因此促进了电子在界面的低损耗传输。这一结果为以后新型无珀析氢催化剂在开路光催化制氢反应中的应用打开了一扇窗,并为光催化剂的设计提供了新的思路,相关结果发表在最新一期的Nano Letters上。