《II-VI在150mm GaAs平台上推出高速数据通信VCSEL,用于消费电子产品中的HDMI光纤电缆》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-01-26
  • 美国工程材料和光电组件制造商II-VI 公司已在其垂直集成的150mm砷化镓(GaAs)技术平台上推出了高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL),以满足消费类电子产品对光学高清多媒体接口(光学HDMI)线缆不断增长的需求。

    II-VI指出,电视和计算机显示器正在向更高分辨率,更大的尺寸和更薄的外形发展,这推动了屏幕连接到远程驱动器电子设备的高速数据电缆的需求。 II-VI为数据中心收发器开发的高速VCSEL现在可在其可扩展的150mm GaAs平台上使用,以满足未来对HDMI HDMI光纤大批量需求。

    激光设备和系统业务部门副总裁Karlheinz Gulden博士说:“II-VI是第一个在内部开发的垂直集成150mm GaAs技术平台上生产数据通信VCSEL的公司。我们能够利用现有的150mm GaAs技术平台的规模经济进行3D感测,从而使我们在HDMI光缆应用VCSEL市场上具有非常强的竞争力。随着时间的推移,我们希望可以在更多的应用中利用该150mm平台,包括我们已经在服务的GaAs半导体激光器应用。”

    II-VI的用于高速收发器的广泛组件组合包括直接调制激光器(DML)、外部调制激光器(EML)、高速检测器、微光学器件和驱动器电子设备。

    II-VI将在下个月4-6日举办的SPIE Photonics Westin展会上展示其广泛的光电器件、微光学器件以及用于消费类电子产品的模块组件,公司展位号1427。

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    • 编译者:Lightfeng
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    • 美国宾夕法尼亚州萨克森堡的工程材料和光电组件制造商II-VI Inc已推出适用于车辆驾驶员和乘员监控系统的垂直腔面发射激光器(VCSEL)泛光照明器模块。 美国和欧洲的运输安全监管机构越来越多地建议或要求在车辆中使用驾驶员和乘员监视系统,从而刺激了对采用更高性能泛光照明器设计下一代2D和3D红外摄像头的需求。 II-VI表示,与驾驶员监视系统中目前使用的红外LED相比,其新型VCSEL泛光照明器发射的光功率更高、光谱宽度更窄,并且可以显着提高系统性能。I从II-VI的泛光照明器发出的红外光可以被调制到100兆赫以上的频率,使其适合用于驾驶员和乘员监控系统的3D飞行时间(ToF)摄像机。 II-VI光电与RF器件业务部高级副总裁Julie Eng博士说:“我们的新型VCSEL泛光照明器模块集成了VCSEL芯片、光电二极管和扩散片,为客户实现了更高水平的垂直集成和价值。利用II-VI内部的6英寸砷化镓(GaAs)技术平台,成功地扩大了消费电子产品VCSEL阵列的生产规模。我们期待着随着市场需求的增长,汽车座舱内传感应用的泛光照明器的产量也得到提升。” II-VI表示,其VCSEL具有很高的功率转换效率,可提供高达2.5W或5W的连续功率输出。泛光照明器采用表面贴装的封装形式,与扩散片集成,具有两种视场角:窄市场角(60° x 45°),宽视场角(110° x 85°)。些模块预计将于2021年第二季度通过AEC-Q102认证,以用于汽车应用。 II-VI广泛的传感产品组合包括具有一个或多达数百个元素的红外VCSEL芯片。 II-VI还提供薄膜滤光片和衍射光学元件(DOE),包括透镜、微透镜阵列、漫射器和分离器,这些器件是在晶片规模上生产的,用于大容量应用。 II-VI将在2021 SPIE Photonics West数字论坛(3月6日至1日)上展示其广泛的3D感测激光器和光学产品系列。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • 美国工程材料和光电组件制造商II-VI将收购Ascatron 和INNOViON,两项交易均计划于2020年底完成。 Ascatron由宽带隙材料专家团队领导,在SiC和半导体行业拥有200多年的经验,主要生产SiC外延晶片和器件,用于各种高压电力电子应用。 INNOViON是世界上最大的离子注入服务提供商,在全球范围内拥有30个注入器,支持最大300mm晶片的半导体材料处理能力。该公司的工艺能够掺杂多种半导体,包括碳化硅、砷化镓、磷化铟和硅。 II-VI的首席执行官Vincent D. Mattera Jr博士说:“Ascatron和INNOViON的技术平台给II-VI提供了SiC衬底,我们将结合这些功能,以实现世界上最先进的内部垂直集成的150mm SiC技术平台之一。在我们在SiC衬底上的深厚专业知识的基础上,并增加了先进的SiC外延、器件制造和模块设计,以满足对SiC电力电子产品快速增长的需求。” SiC在电动汽车(EV)、可再生能源、微电网和数据存储和通信电源等领域有着重要的优势,代表了电力电子领域的颠覆性技术。与基于硅的器件相比,SiC具有更高的效率,更高的能量密度和更低的总体系统级拥有成本。 作为垂直整合战略的一部分,II-VI正在利用其广泛的工程材料和光电设备技术平台以及其在全球的制造能力,通过开发高性能复合半导体来推动规模和创新。