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《瑞华泰、山东海诺、时代新材等大手笔投资 2019年膜企PI膜项目投资建设情况盘点》

  • 来源专题：中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
  • 编译者： 冯瑞华
  • 发布时间：2019-07-05

  • 说到聚酰亚胺，在聚酰亚胺所有的应用中，聚酰亚胺薄膜（PI膜）是最早进入商业流通领域且用量最大的一种。

    目前，可折叠手机兴起，柔性显示备受关注，OLED市场需求不断增加。OLED在生产制造过程中，由于需要在柔性基板上溅射上电极或TFT材料，所以基材一般为耐高温的聚合物，而PI薄膜具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性等特殊属性，因此现在使用最多的基材为耐高温聚酰亚胺(PI)材料。

    高性能PI薄膜在柔性有机薄膜太阳能电池和新一代柔性LCD、OLED显示器产业以及锂离子等新型动力蓄电池技术和产业均有着广阔的市场，国内也有部分厂家布局PI膜，推动PI薄膜及其制品的国产化进程，促进高性能PI薄膜扩大产业化生产规模。

    时至7月，2019年上半年已经过去，膜链为大家整理了这半年里国内的各个膜企在PI膜项目上投资建设的情况。

    国柔科技

    1月11日，湖南省常德市人民政府公示了湖南国柔科技有限公司“年产1000吨聚酰亚胺薄膜材料项目”环境影响评价的相关信息。公司计划在常德经济技术开发区建设年产1000吨聚酰亚胺薄膜材料生产线。

    新纶科技

    2月14日，深圳市新纶科技股份有限公司发布了关于签署PI项目合作协议的公告，公告内称，2019年2月13日，经公司第四届董事会第四十二次会议审议批准，公司与苏州聚萃签署了《PI项目合作协议书》，双方将依托各自优势，共建PI树脂及薄膜产线。

    该树脂项目预计总投资金额不超过人民币2亿元，合作期限自2019年3月1日起至2021年2月28日止，共2年。

    中天科技

    2月27日，中天科技发布消息称，公司拟募集3.57亿投资高性能PI（聚酰亚胺）膜。

    公司称，他们引进了两条具有国际先进水平的化学亚胺化法PI薄膜生产线，主要生产微电子级PI薄膜和高频高速传输用PI薄膜等。现已成功研发出柔性电路板用高端PI薄膜、5G高频高速通讯用PI薄膜、柔性显示用CPI薄膜等多种高性能PI薄膜的配方及产业化生产工艺。

    目前，该项目正在进行第一期设备的安装和调试，预计2019年6月开始试生产，完全达产后可形成年产600吨高性能PI薄膜的生产能力。

    惠生新材

    3月27日，有关惠生（泰州）新材料科技有限公司报备的“高性能聚酰项目”和“电子级聚酰亚胺薄膜项目”环评公告已被发布。

    公告内显示，该项目总投资11.9亿元人民币，资金由公司自筹，项目位于江苏省泰兴市经济技术开发区，预计建成后可产2万吨/年高性能聚酰胺（PA6T1万吨、PA10T5000吨、PA12T5000吨）、1000万㎡/年电子级聚酰亚胺（PI）薄膜。

    时代新材

    4月2日，有媒体报道称，时代新材高端PI膜项目在湖南省株洲市渌口区南洲工业园正式开工建设。

    据了解，该项目总投资30亿元，占地面积约180亩，分期建设实施，其中一期投资15亿元，规划用地约40亩。按项目工艺技术要求建设生产厂房及配套设施25000平米，建成后形成年产约2000吨高性能聚酰亚胺薄膜的产能。

    山东海诺

    5月20日，山东海诺集团投资建设“全南海诺电子信息绝缘新材料PI膜生产项目”。该项目总投资达35亿元，分2期完成，主要建设36条产品生产线，全部达产后年产值20亿元以上。其中一期投资20亿元，分2年建设，将先建设26条生产线。

    有相关业内人士点评道，项目建成后，该企业或将成为亚洲乃至世界最大的高性能电子信息绝缘新材料PI膜产品生产企业。

    瑞华泰

    5月3日，浙江嘉兴港区首个百亿项目——中国航天瑞华泰高分子新材料项目首期破土动工。据了解，该项目总投资达115亿元，将建设包括一个光电材料研发总部和四个产业项目，将生产包括聚酰亚胺在内的各种高分子材料，项目分三期建设，预计2025年完成建设，全部达产后，年产值130亿元以上。

    丹邦科技

    6月13日，丹邦科技发布了《2019年非公开发行股票预案》的公告。

    公告显示，公司拟向10名特定对象非公开发行不超过1.1亿股，募集资金不超过21.5亿元，其中20.5亿元用于化学法渐进喷涂式聚酰亚胺厚膜。公司称，公司在前次非公开募集资金投产的项目“微电子级高性能聚酰亚胺研发与产业化”中，已经实现常规厚度 PI 薄膜生产和销售及应用。

  • 原文来源：http://www.xincailiao.com/news/news_detail.aspx?id=511332
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    • 2014年6月，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》。《纲要》部署充分发挥国内市场优势，营造良好发展环境，激发企业活力和创造力，带动产业链协同可持续发展，加快追赶和超越的步伐，努力实现集成电路产业跨越式发展。 《纲要》的主要任务和发展重点是：着力发展集成电路设计业；加速发展集成电路制造业；提升先进封装测试业发展水平；突破集成电路关键装备和材料。 在《纲要》的推动下，国内各大城市纷纷全面布署集成电路产业，并纷纷制定各种集成电路产业扶持政策。各地政策中都有专门条款针对流片进行支持。 芯思想研究院对我国32个城市的集成电路产业发展支持政策进行了整理和分析，除了济南外，其他31个城市的集成电路多项目晶圆（MPW）和全掩模流片（Full Mask）给予一定比例的资金支持。 1、北京 2016年12月北京中关村国家自主创新示范区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 支持集成电路设计企业加大新产品研发力度。重点支持集成电路设计企业流片和掩模版制作。对开展工程产品首轮流片的集成电路设计企业，按照该款产品首轮流片合同金额的20%或掩模板制作合同金额的20%予以研发资金支持。且合同须已执行。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 2、上海 2017年11月上海市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对经过全掩模流片，以及首次与本市集成电路制造企业签订流片合同，利用其生产线实现线宽在45纳米及以下工程产品流片的设计企业，给予不超过产品流片费用（流片费包括：IP授权费、掩模版费、测试化验加工费）的30%的资金支持。 单一企业年度支持总额最高不超过1500万元。 3、天津 滨海新区 2014年2月天津滨海新区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对集成电路设计企业使用本市代工企业进行IP验证、研发流片等的给予合同额10%的资金支持。 单一企业年度支持总额最高不超过100万元。 西青区 2019年1月天津西青区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对集成电路设计企业参加多项目晶圆项目，按照直接费用的80%给予支持；对设计企业掩模制作费用，按照直接费用的40%给予支持；对设计企业工程片、试流片加工费用的40%给予支持。三项支持合计计算。 单一企业年度支持总额最高不超过600万元。 4、重庆 2018年8月重庆市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对使用多项目晶圆流片进行研发的企业，按照多项目晶圆（MPW）流片费50%的比例给予资金支持。 单一企业年度支持总额最高不超过100万元。 对实际到位投资2000万元以上的集成电路设计企业，按照其每款产品完成首次全掩模工程流片费用50%的比例给予资金支持（流片费包括：IP授权费、掩模版费、测试化验加工费）。 单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。 同时，还对晶圆制造企业给予支持。对集成电路制造企业开放产能为企业代工流片的，按照每片（折合8英寸片）100元的标准给予资金支持。 单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。 5、南京 2016年3月南京市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持 对集成电路设计企业开展的符合一定条件的工程产品首轮流片，按照该款产品掩模版制作费用的60%或首轮流片费用的30%支持。 单一企业年度支持总额最高不超过100万元。 浦口区 2019年3月南京浦口区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对于首次完成全掩模工程产品流片或开展多项目晶圆首轮流片的集成电路设计企业，叠加市级奖补给予直接费用最高不超过60%的支持；对再次完成全掩模工程产品流片的，给予直接费用最高不超过50%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过600万元。 6、无锡 2018年2月无锡出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对拥有自主知识产权，且对工艺制程达到一定节点的产品进行工程流片（含MPW）的设计企业，择优最高按照该款产品首轮流片（含IP授权、掩模制版）费用的40%给予支持；对在本地生产企业掩模流片的，择优最高按首轮流片费用的60%给予支持。 工艺制程为45nm以上的，单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 工艺制程达到45nm及以下的，单一企业年度支持总额最高不超过600万元。 7、苏州 2019年苏州工业园区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对集成电路设计企业拥有自主知识产权的产品进行首轮流片（MPW或工程流片）产生的费用，给予最高50%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 对注册在园区的集成电路制造、封装测试等企业，为园区集成电路设计企业提供流片、封装、测试服务的，给予实际服务金额10%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过100万元。 8、昆山 2018年6月昆山市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对IC设计企业开展的符合一定条件的工程产品首轮流片，按该产品掩模制版费用的60%或首轮流片费用的30%给予支持。 单一产品年度支持总额最高不超过200万元；单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 9、南通 2017年11月南通港闸区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对集成电路设计企业用于研发的多项目晶圆（MPW），可享受多项目晶圆（MPW）直接费用70%的支持、工程片试流片加工费40%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过300万元，连续支持3年。 10、常州 2019年5月常州武进区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对工程流片（含MPW）的设计企业，最高按照该款产品首轮流片（含IP授权、掩模制版）费用的50%给予支持。 工艺制程40nm以上产品支持总额不超过300万元，工艺制程达到40nm-28nm（不含28nm）产品支持总额不超过500万元，工艺制程达到28nm及以下产品支持总额不超过800万元。 单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。 11、杭州 2018年7月杭州市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对进行重点支持领域工程产品流片的集成电路企业，给予其该款产品掩模版制作费用的50%或首轮流片费用的30%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 杭州高新区 2019年11月杭州高新区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对进行重点支持领域工程产品流片的集成电路企业，给予其该款产品掩模版制作费用的50%或首轮流片费用的30%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过600万元。 12、宁波 2019年2月宁波高新区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对区内集成电路设计、制造企业进行工程流片的费用，按照当年实际发生额给予50%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 13、绍兴 2018年绍兴越城区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对在本区集成电路生产企业进行重点支持领域的工程产品流片的设计企业，按该款产品掩模版制作费用的60%或者首轮流片费用的30%给予研发支持。 单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 14、海宁 2018年6月海宁市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 鼓励集成电路设计企业开展符合一定条件的工程产品首轮流片，按照该款产品掩模版制作费用的60%或首轮流片费用的30%给予支持。 最高不超过200万元研发支持。 单一产品年度支持总额最高不超过200万元；同一企业每年支持上限为500万元。 15、青岛 2019年2月青岛红岛经济区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对注册在红岛的独立法人公司或商及税务注册地迁至红岛经济区的公司，按照产品掩模版制作费用的60%或首轮流片费用的40%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过150万元，连续支持3年。 16、合肥 2018年4月合肥市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 集成电路设计企业参加MPW项目（多项目晶圆项目，含单企业MPW），同一设计型号首轮流片、再次流片分别按50%、30%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 企业进行工程流片，按照工程型号产品掩模版制作费用或首轮流片费用的30%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 合肥高新区 2018年8月合肥高新区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对集成电路设计企业产品流片（含掩模版等）费用的30%及从第三方购买IP（含Foundry的IP模块）费用的30%予以支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 17、芜湖 2019年7月芜湖市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 微电子设计企业参与研发的多项目晶圆（MPW），可享受最高不超过MPW直接费用70%（高校或科研院所MPW直接费用80%）、工程片试流片加工费30%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 本地微电子设计企业利用本地芯片生产线流片，按首次工程流片费用（含IP授权或购置、掩模版制作、流片等）的40%给予支持。（芜湖本地芯片生产线在哪里） 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 18、广州 2018年9月广州黄埔区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 企业研发多项目晶圆（MPW）流片的，按直接费用的80%给予支持；企业购买光罩、研发全掩模（Full Mask）流片的，按直接费用的40%给予支持；企业研发工程片、试流片的，按加工费用的30%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过600万元。 19、深圳 2019年4月深圳市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对于使用多项目晶圆进行研发的设计企业，给予多项目晶圆直接流片费用最高70%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 对于首次完成全掩模工程产品流片的企业，给予流片费用最高50%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 坪山区 2019年5月坪山区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对集成电路设计企业参加多项目晶圆（MPW）项目，按多项目晶圆（MPW）直接费用的80%进行支持；高校或科研院所参加多项目晶圆（MPW）项目的，按多项目晶圆（MPW）直接费用的90%进行支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 对利用坪山区晶圆制造企业开展多项目晶圆（MPW）的集成电路设计企业，按多项目晶圆（MPW）直接费用的80%进行支持；对利用坪山区晶圆制造企业开展多项目晶圆（MPW）的高校或科研院所，按多项目晶圆（MPW）直接费用的90%进行支持。 单一企业年度支持总额最高不超过400万元的资助。 对集成电路设计企业首次工程流片进行资助，按首次工程流片费用（含IP授权或购置、掩模版制作、流片等）的30%进行支持。 单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 对利用坪山区企业集成电路生产线流片的，按首次流片费用的60%进行支持。 单一企业年度支持总额最高不超过600万元。 龙岗区 2019年7月龙岗区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 给予不超过上一年多项目晶圆（MPW）流片（含掩模版）实际发生金额、单个项目最高100万元扶持，单一企业年度支持总额最高不超过300万元。 于完成小于90nm全掩模（Full Mask）工程产品流片的项目，给予不超过流片费用（含掩模版），其中，工艺制程小于90nm、大于45nm（不含）的，单个项目最高扶持50万元，小于45nm、大于28nm（不含）的，单个项目最高扶持200万元，小于28nm的，单个项目最高扶持300万元；同一项目只扶持1次。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 20、珠海 2019年1月珠海高新区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 集成电路设计企业在参加多项目晶圆（MPW）、工程片试流片阶段，市财政对企业多项目晶圆（MPW）直接费用给予最高70%的支持，区财政再给予10%的支持；市财政对企业首次工程片流片加工费（含IP授权或购置、掩模版制作、流片等）给予最高30%的支持，区财政再给予20%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过600万元（其中区财政不超过200万元）。 21、东莞 2017年12月东莞松山湖高新技术产业开发区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 购买多项目晶圆（MPW）项目费用，给予50%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过100万元。 购买光罩（MASK）费用，给予30%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过150万元。 22、福州 2017年9月福州高新区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对IC设计企业参加多项目晶圆（MPW）项目，采用180nm以上工艺，给予MPW直接费用40%支持；采用180nm及以下工艺，给予MPW直接费用45%；对企业在本地代工厂采用90nm及以下工艺，给予MPW直接费用50%支持；成立不足3年的企业申请首件MPW支持，最高给予MPW直接费用80%支持。（实在不知福州本地代工厂有90nm及以下工艺） 单一企业年度支持总额最高不超过100万元。 23、厦门 2016年6月厦门市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。2018年10月进行了修订、增补。 用于研发的集成电路企业多项目晶圆（MPW），按照不高于多项目晶圆（MPW）直接费用70%进行资助，针对硅CMOS工艺最小线宽≤55nm、GaAs MMIC工艺最小线宽≤250nm等两类先进工艺，按照不高于多项目晶圆（MPW）直接费用80%进行资助；用于研发的集成电路企业工程片试流片按照不高于其加工费30%进行资助，针对硅CMOS工艺最小线宽≤55nm、GaAs MMIC工艺最小线宽≤250nm等两类先进工艺，工程片试流片按照不高于其加工费40%进行支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 同时政策规定，本地集成电路企业利用本地集成电路生产线流片，按首次工程流片费用（含IP授权或购置、掩模版制作、流片等）的40%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 厦门海沧区 2017年6月22日厦门海沧区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 利用厦门集成电路生产线流片，按首次工程流片费用（含IP授权或购置、掩模版制作、流片等）的50%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过600万元。 24、泉州 2018年8月泉州市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 按MPW直接费用的80%给予支持；企业参加工程流片项目，对同一流片项目工程流片费用给予50%支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 25、晋江 2016年10月晋江市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持，2019年5月对政策进行了修订、增补，于2019年6发布修订版。 对采用多项目晶圆技术的集成电路设计企业，按MPW直接费用的80%（高校或科研院所按90%）给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过400万元。 对采用全掩模工程片流片的，按照其每款产品首次工程流片费用（掩模版费及流片加工费）的30%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过400万元。 对利用晋华集成电路生产线流片的企业，按首次工程流片费用（含IP授权或购置费、掩模版费及流片加工费等）的40%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 26、莆田 2018年12月莆田市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对集成电路设计企业，按照MPW流片费用80%支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 对集成电路设计企业，首轮工程流片按照流片费用的50%支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 27、武汉 2019年8月武汉东湖新技术开发区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对进行工程产品流片的集成电路企业，按照掩模版制作费用的50%或首轮流片费用的30%给予支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 28、长沙 2019年9月20日长沙市出台政策对多项目晶圆（MPW）和首轮流片进行支持。 对企业的多项目晶圆（MPW）试流片、全掩模（Full Mask）工程产品首次流片、购买IP核费用，给予实际发生额的60%、50%、50%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 29、成都 2018年3月成都市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持. 对于首次完成全掩膜（Full Mask）工程产品流片的企业，给予流片费用最高10%、年度总额不超过500万元的补贴；对于进行化合物半导体全掩膜首轮验证性流片的企业，给予流片费用最高50%、年度总额不超过500万元的补贴；对于使用多项目晶圆（MPW）流片进行研发的企业（单位），给予MPW直接费用最高40%、年度总额不超过100万元的补贴。 2018年6月发布政策实施细则。 对于使用多项目晶圆（MPW）流片进行研发的企业，给予多项目晶圆（MPW）直接费用最高40%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过100万元。 本市IC设计企业工程产品在本市企业完成首轮全掩模（Full Mask）工程产品流片，达到可以提供给集成电路系统整机厂商的芯片示范应用水准，首轮流片费用累计在4000万元以上（含4000万元），给予IC设计企业流片费用10%的支持；首轮流片费用累计在2000万元以上但小于4000万元（含2000万元、不含4000万元），给予IC设计企业流片费用7%的支持；首轮流片费用累计小于2000万元（不含2000万），给予IC设计企业流片费用5%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 非本市IC设计企业工程产品委托本市集成电路制造企业完成首轮全掩模（Full Mask）工程产品流片，达到可以提供给集成电路系统整机厂商的芯片示范应用水准，给予本地集成电路制造企业代工的流片费用2%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 本市IC设计企业委托非本市集成电路制造企业完成首轮全掩模（Full Mask）工程产品流片，达到可以提供给集成电路系统整机厂商的芯片示范应用水准，给予IC设计企业流片费用总额1.5%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过50万元。 对于提供化合物半导体全掩模首轮验证性无偿试流片的本市代工企业，首轮流片成本费用累计在900万元以上（含900万元），给予代工企业流片成本费用50%的支持；首轮流片成本费用累计300万元以上、小于900万元（含300万元，不含900万元），给予代工企业流片成本费用20%的支持；首轮流片成本费用小于300万元（不含300万元），给予代工企业流片成本费用10%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过500万元。 对于在本市进行化合物半导体全掩模首轮验证性有偿试流片的本市IC设计企业，首轮流片费用累计在1000万元以上（含1000万元），给予IC设计企业流片费用10%的支持；首轮流片费用累计在500万元以上、小于1000万元（含500万元、不含1000万元），给予IC设计企业流片费用7%的支持；首轮流片费用累计小于500万元（不含500万元），给予IC设计企业流片费用5%的支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 30、贵阳 2016年5月贵阳市出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对开展工程产品首轮流片的集成电路设计企业，按照该款产品掩模版制作费用的20%或首轮流片费用的20%予以资金支持。 单一企业年度支持总额最高不超过200万元。 31、西安 2018年2月西安国家自主创新示范区出台政策对多项目晶圆（MPW）和全掩模流片进行支持。 对于集成电路产品设计企业，按照企业初次流片实际费用的50%予以支持。 单一企业年度支持总额最高不超过50万元。 分析： 1、对工艺有明确要求，以提升本地设计工艺技术。上海明确规定支持的是45纳米及以下工艺，由于45纳米及以下费用较高，所以支持额度高达1500万元。无锡对工艺也有明确规定，如工艺制程为45纳米以上的，单一企业年度支持总额最高不超过300万元；而工艺制程达到45nm及以下的，单一企业年度支持总额最高不超过600万元。厦门则针对硅CMOS工艺最小线宽≤55nm、GaAs MMIC工艺最小线宽≤250nm等两类先进工艺，给予更大支持。而常州对工艺要求更甚。工艺制程40nm以上产品支持总额不超过300万元，工艺制程达到40nm-28nm（不含28nm）产品支持总额不超过500万元，工艺制程达到28nm及以下产品支持总额不超过800万元，单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。 2、在流片支持条款中明确要支持本地晶圆制造企业。上海、重庆、苏州、芜湖、深圳、晋江、成都都规定对利用本地晶圆制造企业开展多项目晶圆（MPW）和全掩膜流片给予更大支持。 3、大部分城市的流片补贴只是流于形式，为了招商工作而写，多是给出一个补贴比例和最高补贴限额，无外乎就是比哪个城市支持的金额更大，而对工艺等没有具体要求，造成鱼龙混杂，对真正进行高端先进IC设计的公司不利。 如果一个城市招商，只是靠政策恐怕不会长远；一个企业落户只是看补贴，估计这种企业也不会长久。 注：多项目晶圆（Multi Project Wafer，简称MPW）：就是将多种具有相同工艺的集成电路设计放在同一个硅圆片上、在同一生产线上流片，制造完成后，每个设计项目可以得到数十片芯片样品，这一数量足够用于设计开发阶段的实验、测试。而实验费用就由所有参加多项目晶圆的项目按照各自所占的芯片面积分摊，极大地降低了产品开发风险。这就很象我们都想吃巧克力，但是我们没有必要每个人都去买一盒，可以只买来一盒分着吃，然后按照各人吃了多少付钱。多项目晶圆提高了设计效率，降低了开发成本，为设计人员提供了实践机会，并促进了集成电路设计成果转化，对IC设计人才的培训，及新产品的开发研制均有相当的促进作用。
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  • 《金额跃增136%！韩国“大手笔”投资半导体材料》
    • 来源专题：中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者：冯瑞华
    • 发布时间：2020-01-06
    • 随着政府致力于提升在尖端科技产业的全球竞争力，韩国2020年对未来工业材料和纳米科技的公共投资将跃增136%。 据台湾《经济日报》网站12月22日援引韩联社的报道称，这项投资的总金额达2336亿韩元（1元人民币约合165.6韩元），较今年的总额988亿韩元飙增136%。韩国有关机构12月22日表示，该投资项目将聚焦于购买原厂技术、扩大研发基础设施，以及建立强健的商业生态系。 报道称，据介绍，相关研发经费为1280亿韩元。 在研发方面，明年将对先进纳米技术与材料产业投入巨资，范围将从微型传感器和零组件，横跨到医疗、能源及环境等领域；部分资金将用于协助研发和取得关键新技术的专利；剩下的资金将帮助韩国降低对国外零组件的依赖。 报道介绍，韩国政府也斥巨资支持在韩国国内扩大生产先进半导体材料，还会投入资金用于将技术与产品推向市场。 另据台湾《联合报》网站12月22日报道，全球投资银行近来出具研究报告指出，明年韩国半导体业料将复苏，带动该国股市大盘——韩国综合股价指数（KOSPI）达到2300点。今年KOSPI平均为2100点。 法国巴黎银行近日调高韩股评级表现，并称半导体市场周期已经触底，明年将开始攀涨，而这预示着，经济将出现周期性复苏。 报道称，该投行在报告中指出，库存过剩情形将于明年逐渐减少，数据中心跟智能手机制造商需求将恢复，KOSPI平均水位为2325点。 瑞士信贷近日的报告也指出，韩国半导体、汽车与石化业明年获利将增三成，其中以芯片产业表现最佳。美国投资银行大摩上月也因芯片价格稳定、库存正常跟5G服务需求增加，将韩股表现调升。 报道介绍，不过，花旗则悲观看待明年韩股表现，该银行在11月29日出具的研究报告中写道：“尽管市场迈入新的一年，但我们宁愿等待下一次下跌后再转为看多。
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