《我国学者首次构建出锯齿型碳纳米管片段》

  • 来源专题:中国科学院亮点监测
  • 编译者: liuzh
  • 发布时间:2018-08-08
  •   中国科学技术大学杜平武教授课题组利用一种新策略,首次构建出锯齿型碳纳米管片段。碳纳米管是一种纳米材料,重量轻,六边形结构连接完美,组成碳纳米管的C=C共价键是自然界中最稳定的化学键之一,但是合成长度和尺寸单一的碳纳米管是合成化学和材料化学的一个重要挑战。这种通过三个弯曲型分子连接两个石墨烯单元方法可直接得到纳米笼状结构,为构建封端锯齿型碳纳米管提供了新思路。该研究成果日前发表在《德国应用化学》上。

相关报告
  • 《共轭延伸的弯曲碳纳米管片段及其超分子异质结研究获进展》

    • 来源专题:中国科学院亮点监测
    • 编译者:yanyf@mail.las.ac.cn
    • 发布时间:2019-03-30
    • 近日,国际化学期刊《德国应用化学》以Photoconductive curved‐nanographene/fullerene supramolecular heterojunctions 为题,在线发表了中国科学技术大学教授杜平武课题组关于共轭“分子皇冠”及其超分子异质结光电响应的最新研究成果(Angew. Chem. Int. Ed., 2019, DOI: 10.1002/anie. 201900084)。该工作首次构建了不同共轭延伸的类似皇冠状的弯曲碳纳米管片段,并利用富勒烯作为客体分子组装了超分子异质结,发现了其显著的光电效应。   碳纳米管由于其突出的机械、电学以及光学性质而受到广泛关注。碳纳米管诸多重要性质主要由其管壁结构所决定,在制备过程中保证碳纳米管结构的均一性显得尤为重要。现有方法比如电弧放电法或者化学气相沉积法所制备的碳纳米管通常是碳纳米管的混合物,因此选择性合成结构单一的碳纳米管或者碳纳米管片段成为纳米碳材料和合成化学领域面临的一个重大挑战。基于合成化学的自下而上合成策略,通过从环对苯撑碳纳米环逐渐增长成碳纳米管,在控制碳纳米管纯度方面具有重要意义。   近几年,杜平武课题组致力于自下而上法制备大共轭碳纳米管片段,实现了嵌入大共轭片段的扶手椅型[18,18]碳纳米管片段的合成,首次利用STM观测到弯曲共轭纳米管片段的分子形貌(Chem. Commun. 2016, 52, 7164-7167. 图1a);发展基于铂配合物四边形然后还原消除的方法,成功合成全六苯并蔻基[12,12]碳纳米管片段(Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 158-162. 图1b);提出通过封端“帽子”的方法构建锯齿型碳纳米管片段及纵向切割碳纳米管构建基元的策略,利用过渡金属钯、镍等催化的偶联反应连接弯曲稠环共轭片段前体,成功合成了以六苯并蔻为封端“帽子”的锯齿型[12,0]碳纳米管弯曲共轭片段(Angew. Chem. Int. Ed. 2018, 57, 9330-9335.图1c)。   在刚刚发表的工作中,该课题组将共轭程度逐渐增大的纳米石墨烯作为“分子皇冠”侧壁嵌入到弯曲共轭的碳纳米环中,成功合成了不同共轭延伸的扶手椅型[10,10]碳纳米管片段(图2a)。该工作首先通过稳态光谱和电化学方法,系统研究了共轭程度对碳纳米管片段性质的影响。然后通过与中国科大教授杨上峰合作,研究了“分子皇冠”与富勒烯C60之间的超分子作用,随着侧壁共轭依次增大,皇冠分子与C60的结合常数依次增大。并且首次发现将其与富勒烯构建超分子异质结薄膜作为光导层,在光照条件下能够产生强烈的光电流,与参比物相比较,其最大光电流可急剧增加约1000(图2b)。   该工作还利用超快光谱测定了大共轭碳纳米管片段和C60复合物的光诱导中间态变化(图2c)。光谱结果清楚地表明,大共轭碳纳米管片段(电子给体)与富勒烯(电子受体)之间存在快速电子转移过程,可以检测出给体和受体的自由基离子的瞬态吸收特征峰。侧壁共轭增大的碳纳米管片段为分子碳纳米管的合成及性质研究提供了借鉴,对碳纳米管与富勒烯超分子异质结在光电器件方面的应用提供了实验基础。   中国科大化学与材料科学学院材料系博士生黄强、贾洪兴和浙江工业大学副教授庄桂林为文章的共同第一作者。杜平武和杨上峰为论文的共同通讯作者。该研究得到国家自然科学基金委、科技部、能源材料化学前沿协同创新中心的资助。
  • 《金属所米级单壁碳纳米管薄膜的连续制备及全碳电路研制获进展》

    • 来源专题:中国科学院亮点监测
    • 编译者:yanyf@mail.las.ac.cn
    • 发布时间:2018-10-17
    •         单壁碳纳米管具有优异的力学、电学和光学性质,在柔性和透明电子器件领域可作为透明电极材料或半导体沟道材料,因此被认为是最具竞争力的候选材料之一。开发出可高效、宏量制备高质量碳纳米管薄膜的方法已成为该材料走向实际应用的关键难题。首先,迄今制备的单壁碳纳米管薄膜的尺寸通常为厘米量级,批次制备方式不能满足规模化应用要求。其次,由于在碳纳米管薄膜制备工艺过程中通常会引入杂质和结构缺陷,使得薄膜的光电性能劣化,远低于理论预测值。因此,发展一种高效、宏量制备高质量单壁碳纳米管薄膜的制备方法具有重要价值。   近日,中国科学院金属研究所先进炭材料研究部孙东明团队与刘畅团队合作,提出了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,实现了米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜的连续制备,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。研究人员采用浮动催化剂化学气相沉积方法在反应炉的高温区域连续生长单壁碳纳米管,然后通过气相过滤和转移系统在室温下收集所制备的碳纳米管,并通过卷到卷转移方式转移至柔性PET基底上,获得了长度超过2m的单壁碳纳米管薄膜。对该过滤沉积过程进行流体仿真,其结果表明当调节出气口速度使抽滤过程处于平衡状态时,该过滤系统中的气流呈现出均匀的气流速度分布(图1)。通过该方法制备的单壁碳纳米管薄膜表现出优异的光电性能和分布均匀性,在550纳米波长下其透光率为90%,方块电阻为65Ω/□(图2)。研究人员利用所制备的碳纳米管薄膜构筑了高性能全碳柔性透明晶体管(图3)以及异或门、101阶环形振荡器等柔性全碳集成电路(图4)。   这是研究人员首次开发出米级长度的单壁碳纳米管薄膜的连续生长、沉积和转移技术,所制备的单壁碳纳米管薄膜及其晶体管具有优异的光电性能,为未来开发基于单壁碳纳米管薄膜的大面积、柔性和透明电子器件奠定了材料基础。该工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、中国博士后科学基金、中国科学院装备研制计划、辽宁百千万人才计划、青年相关人才计划等的支持。单壁碳纳米管薄膜的连续制备技术已获得中国发明专利(ZL201410486883.1),相关论文于近日在《先进材料》(Advanced Materials)在线发表。