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《有机气体传感器:一种超灵敏的有机半导体NO2传感器，基于晶体的提戊烯薄膜(先进的材料，38/2017)。》

  • 来源专题：纳米科技
  • 编译者： 郭文姣
  • 发布时间：2017-10-11

  • Lifeng Chi和他的同事们在1703192的文章中获得了一种超灵敏的NO2传感器，它的灵敏度超过了每百万分之一，快速反应/恢复时间，良好的再现性和选择性。研究了超高性能和薄膜电荷传输之间的关系，证明了薄膜的低初始载体浓度和有效的电荷传输能力是高质量的关键因素。

    ——文章发布于2017年10月6日

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  • 《新型半导体压力传感器！一种将应变转移到半导体材料上的新技术》
    • 来源专题：中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者：冯瑞华
    • 发布时间：2018-10-31
    • 在诸如高性能红外传感器和能量转换装置等应用中，使用压力来改变半导体性能显示出越来越大的前景。美国伦斯勒理工学院的研究人员利用一种新颖、非传统的晶体界面，对这种方法进行了更为强大和动态的调整。 “在功能材料中引入应变或压力的传统方法是在基板上生长这种材料，这种材料在材料化学上与薄膜材料相似，但在晶格常数上有所不同。在我们的工作中，我们打破了这种传统的思维”，Rensselaer理工学院材料科学与工程助理教授Jian Shi说。 这项研究在最近一期的《Science Advances》（非均匀软晶体应变工程中的缺陷外延VO2±δ界面）中进行了详细的介绍。 以前利用应变来改变半导体性能的研究主要集中在薄膜和基板之间形成相干外延界面，以将应变从衬底转移到薄膜上。例如，在弹性应变工程中，人们在硅上生长锗、氧化物、硫族类的硫化物。 《Science Advances》介绍了一种新的先进的方法，将一种不同，但技术上很重要的半导体材料——卤化物钙钛矿——沉积到二氧化钒衬底上。卤化物钙钛矿对二氧化钒基底的化学性质影响不大。但是，当二氧化钒和卤化物钙钛矿结合在一起时，会形成异质界面，使得应变能够有效地转移到半导体材料上。 这项研究使用了一种特殊设计的基材——二氧化钒，它能够进行结构的相转变，这意味着它在不同的温度下可改变结构。研究人员利用结构相变对化学气相沉积在其表面上的薄膜半导体施加应变。 为了在半导体层中产生大的应变，Shi实验室的研究生Yiping Wang对二氧化钒进行了改性，通过控制二氧化钒在化学气相沉积过程中氧的分压来添加和除去材料中的氧原子。 由此产生的“缺陷工程”的二氧化钒纳米团簇阵列在温度刺激下具有大的结构变化，并且可以通过三个相变移动，允许它们更精确地调节施加在半导体上的压力量。 这种非常规的方法表明，半导体晶体的机械柔软性可能是应变工程成功的关键。使用较软的半导体、适中的界面和更动态的衬底，研究人员能够在纳米尺度上以可逆的方式动态地改变半导体的物理性质。所传递的压力足够大，足以触发半导体晶体中的结构和电子相变。在高压下，用不同但技术上不切实际的方法证明了这种晶体中的这种转变。
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  • 《基于纳米/微结构有机场效应晶体管的气体传感器》
    • 来源专题：纳米科技
    • 编译者：郭文姣
    • 发布时间：2019-03-25
    • 由于有机场效应晶体管(ofet)具有有机分子设计的综合通用性和环境敏感性等优点，基于ofet的气体传感器近年来受到广泛关注。潜在的应用集中在特定气体种类的检测上，如爆炸性、有毒气体或挥发性有机化合物(VOCs)，它们在环境监测、工业制造、智能医疗、食品安全和国防方面发挥着至关重要的作用。通过对有机半导体(OSC)层纳米/微观结构的调控和调整，可以实现快速响应、快速恢复、高灵敏度、高选择性和环境稳定性。本文介绍了具有纳米/微观结构的OFET气体传感器的研究进展。介绍了基于OSC薄膜的一维单晶纳米线、纳米棒和纳米纤维器件。然后，介绍了采用热蒸发法、浸渍法、自旋法和溶液剪切法等方法制备的基于二维(2D)和超薄OSC薄膜的器件，并介绍了多孔OFET传感器。此外，还介绍了纳米结构受体在OFET传感器中的应用。最后，针对目前的研究现状提出了展望，并对基于OFETs的气体传感器提出了八个进一步的挑战。 ——文章发布于2019年2月07日
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