《Lextar与X Display合作》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-10-19
  • 台湾新竹科学园区的垂直整合LED产品制造商Lextar Electronics Corp和爱尔兰的micro-LED显示公司X Display Company(XDC)以及美国的Research Triangle Park(RTP)达成合作协议,包括开发、许可协议和服务协议,其中Lextar已许可使用XDC的知识产权,并且Lextar的micro-LED都将提供给Lextar和XDC的客户。

    Lextar已投资了多个用于micro-LED产品的LED小型化项目,包括芯片、封装、测试、组装、模块、电路驱动器和子系统,并与XDC等合作伙伴紧密合作。

    Lextar技术中心副总裁C.N.表示:“此次合作将一些最新和先进的micro-LED显示器大规模生产技术带入了Lextar。Lextar多年来致力于开发micro-LED技术,并以其在显示行业的专业知识而闻名。通过实践XDC关于microLED的广泛而基础的IP产品组合,我们期望两家公司可以进行强有力的合作,以加速下一代显示技术的商业化。此外,我们的客户可以从我们的一站式服务中受益,从微型LED芯片到显示模块。”

    XDC显示器联合创始人兼副总裁Matthew Meitl博士说:“ Lextar是一家创新的,充满活力的LED公司,在显示行业拥有丰富的经验。”

    XDC是微型LED大规模传输的先驱,已经建立了一系列基础IP产品组合,拥有400多项专利。其获得专利的弹性体印章传质技术提供了一种可行的方法,可用于批量生产电视、标牌、显示器、笔记本电脑和智能手机的micro-LED显示器。 XDC允许使用其技术,并向显示器行业提供组件。

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    • 编译者:husisi
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    • 近日,隆达电子股份有限公司(Lextar)与美国Micro LED巨量转移技术先驱XDC公司,签署技术授权、代工合约,双方将协同开发,加快量产化时程,此为晶电与利亚德合资利晶微电子之后,该阵营在Micro LED另一重大里程碑,可望顺利打通巨量转移的瓶颈段。 隆达与美国Micro LED公司艾克斯光电(X Display Company,XDC)6日双双宣布,双方将进行深度技术合作,隆达将取得XDC的技术授权,替XDC代工,与XDC协同开发Micro LED芯片至模组产品。 隆达技术中心副总经理黄兆年表示,隆达耕耘Micro LED技术研发多年,未来携手XDC,共同加速Micro LED商品化,近年来隆达在LED微小化专案投入研发、设备与人才,从芯片、封装、测试、模组、电路驱动器到系统一条龙整合。 XDC是Micro LED巨量转移技术的先驱,已建立超过400多项广泛且基础的专利组合。XDC利用弹性体PDMS转印头的巨量转移技术,被业界认为是量产Micro LED显示器的最佳方案,未来将可应用於电视、看板、桌上型显示器、笔记型电脑和智慧手机萤幕。 XDC联合创始人兼副总裁Matthew Meitl表示,隆达是一家创新、充满活力的LED公司,特别在显示行业拥有丰富的经验,未来致力共同开发最前瞻的Micro LED产品。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • X-FAB和IHP宣布建立行业学术合作伙伴关系,将X-FAB在半导体制造方面的专业经验与IHP的无线通信专业技术结合在一起,目的是交流知识,互惠互利。X-FAB是全球领先的模拟/混合信号和微机电系统(MEMS)芯片代工厂集团,专门制造用于汽车、工业、消费级、医疗及其他应用领域的硅晶片。IHP是德国高性能微电子莱布尼茨微电子创新研究所(IHP)的简称,位于奥得河畔的法兰克福,是一家拥有300名员工的德国研究所。 IHP的有源器件将直接集成到X-FAB的130nm XR013射频绝缘体上硅(RF-SOI)工艺的线路后端(BEOL),该工艺以Cu和厚铜为基础的金属化为特色,以及性能无源元件,例如电感器和变压器。这种集成意味着可以尝试下一代无线系统概念。 正在进行的合作工作的另一个重点是硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)技术的开发。这方面的基础将是IHP的SiGe异质结双极晶体管。这些晶体管具有强大的性能参数,对于SG13S-Cu,fT / fmax值高达250 / 340GHz,SG13G2-Cu的fT / fmax值高达300 / 500GHz。所采用的3μm厚的低损耗铜互连也将被证明对提高RF性能水平很有价值。 通过IHP和EUROPRACTICE联盟提供了针对RF-SOI和SiGe BiCMOS技术的原型服务。IHP和X-FAB开发的技术将有机会用于光电子和5G无线通信系统,以及创新雷达的实现。 X-FAB射频技术总监Greg U’Ren博士说:“对于包括5G在内的许多无线应用来说,SiGe BiCMOS仍然是一个很有吸引力的前景,因为它可以在硅基平台上集成高性能射频。IHP和X-FAB都意识到了这里的巨大潜力。我们正在研究的技术是利用每个合作伙伴各自优势的协同关系的成果。” 国际水文计划科学主任教授Gerhard Kahmen评论说:“X-FAB作为欧洲领先的半导体制造商之一,我们非常高兴能其合作。这种合作关系使我们能够将一流的研究转移到商业应用中,为下一代高性能射频系统奠定基础,如400G数据通信、60-300GHz雷达和sub-THz成像。”