X-FAB和IHP宣布建立行业学术合作伙伴关系，将X-FAB在半导体制造方面的专业经验与IHP的无线通信专业技术结合在一起，目的是交流知识，互惠互利。X-FAB是全球领先的模拟/混合信号和微机电系统（MEMS）芯片代工厂集团，专门制造用于汽车、工业、消费级、医疗及其他应用领域的硅晶片。IHP是德国高性能微电子莱布尼茨微电子创新研究所（IHP）的简称，位于奥得河畔的法兰克福,是一家拥有300名员工的德国研究所。
IHP的有源器件将直接集成到X-FAB的130nm XR013射频绝缘体上硅（RF-SOI）工艺的线路后端（BEOL），该工艺以Cu和厚铜为基础的金属化为特色，以及性能无源元件，例如电感器和变压器。这种集成意味着可以尝试下一代无线系统概念。
正在进行的合作工作的另一个重点是硅锗（SiGe）双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）技术的开发。这方面的基础将是IHP的SiGe异质结双极晶体管。这些晶体管具有强大的性能参数，对于SG13S-Cu，fT / fmax值高达250 / 340GHz，SG13G2-Cu的fT / fmax值高达300 / 500GHz。所采用的3μm厚的低损耗铜互连也将被证明对提高RF性能水平很有价值。
通过IHP和EUROPRACTICE联盟提供了针对RF-SOI和SiGe BiCMOS技术的原型服务。IHP和X-FAB开发的技术将有机会用于光电子和5G无线通信系统，以及创新雷达的实现。
X-FAB射频技术总监Greg U’Ren博士说:“对于包括5G在内的许多无线应用来说，SiGe BiCMOS仍然是一个很有吸引力的前景，因为它可以在硅基平台上集成高性能射频。IHP和X-FAB都意识到了这里的巨大潜力。我们正在研究的技术是利用每个合作伙伴各自优势的协同关系的成果。”
国际水文计划科学主任教授Gerhard Kahmen评论说：“X-FAB作为欧洲领先的半导体制造商之一，我们非常高兴能其合作。这种合作关系使我们能够将一流的研究转移到商业应用中，为下一代高性能射频系统奠定基础，如400G数据通信、60-300GHz雷达和sub-THz成像。”
