《沙特阿卜杜拉国王科技大学开发出一种新的超宽禁带半导体制造工艺》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2021-04-07
  • 据TechXplore网3月30日消息,沙特阿卜杜拉国王科技大学开发出一种名为“热互扩散合金化”(Thermal Interdiffusion Alloying,TIA)的工艺,可制造包含铝、镓和铟等第III族元素的超宽禁带半导体。超宽禁带半导体是指禁带宽度大于3.4eV的半导体材料,它的击穿电场、热导率、电子迁移率等性能,以及耐高压、耐高温、高频、抗辐射的能力均优于现有大规模应用的宽禁带半导体材料,在超高压电力电子器件、射频电子发射器、深紫外光电探测器和量子通信等领域具有广阔的应用前景。阿卜杜拉国王科技大学研究人员在蓝宝石衬底上制作常见的氧化镓样品,随后将样品加热到1000~1500摄氏度的高温,使氧化镓样品固化。加热过程中,铝原子会从蓝宝石缓慢扩散到氧化镓中,而镓原子沿相反的方向移动以混合并生成铝镓氧化物合金。更高的温度和更长的过程导致更多的相互扩散现象,从而生产出具有更高铝成分的合金。通过控制加热时间和温度,研究人员能在0~81%之间控制铝元素的占比,从而使超宽禁带半导体拥有不同的性能。

    论文信息:Che-Hao Liao et al. Wide range tunable bandgap and composition β-phase (AlGa)2O3 thin film by thermal annealing, Applied Physics Letters (2021)

    论文链接:https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0027067

  • 原文来源:https://techxplore.com/news/2021-03-ultrawide-bandgap-semiconductor-bread.html
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    • 工程师们开发了一种强大的新工具,帮助制造商在手机、电池和太阳能电池等日常技术中更容易、更早地发现缺陷或不需要的特性。 主要作者Hieu Nguyen博士说,这项发明的工作原理是在几秒钟内捕获半导体材料的高分辨率图像,包括许多潜在的缺陷。 我们称之为“速度和空间的奇迹”。它不仅比目前使用的技术快几倍,还快数万倍,”ANU电气、能源和材料工程研究院的Nguyen博士说。 “这为研究和工业领域的新一代超高分辨率、精确特征化和缺陷检测工具打开了大门。” ANU的研究人员与美国国家可再生能源实验室的科学家合作,发现各种半导体材料(包括硅、钙钛矿和许多薄膜)发出的光具有一些非常明显的特性。 Nguyen博士说,一旦这些光线被捕捉到相机上,光学图像就可以用来收集有关材料工作原理的重要信息。 他说:“现在我们对光的性质了解得更多了,仅仅从图像中,我们就能以难以置信的深度提取不同的信息。” “这项研究的美妙之处在于,我们使用了商业上可买到的普通工具,并将它们转化为非凡的东西。” Nguyen博士说,他的团队通过捕捉光带隙的图像来演示他们的方法,光带隙是研究人员需要了解的关于材料的第一批信息之一。 这种带隙决定了半导体的许多特性,包括吸收光和导电的能力。 “我们在Anu制造的各种最先进的钙钛矿太阳能电池上广泛测试了本发明,并用许多其他低速或低分辨率技术独立地证实了结果。他们完全匹配,”他说。 “我们正在改进这项发明,以便将其商业化。” 来自Anu的合著者BoyiChen说,他对研究小组的研究结果感到兴奋。 在这项发明之前,花了整整一周的时间在一台设备上获得高质量的带隙图像。现在,有了我们的发明,只需几秒钟就能得到同样质量的图像,”陈先生说。 “这项发明将有助于生产出更坚固的手机、太阳能电池、传感器和其他光学设备,因为它可以在制造过程的早期发现缺陷。” 该研究论文已发表在《Advanced Energy Materials》上,并可在线获得。
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