研究人员使用了一种称为多层六方氮化硼的二维绝缘材料(约6纳米厚),并使用了含有互补金属氧化物半导体技术的硅晶体管的微芯片,这种技术存在于我们使用的每一种电子产品中,如手机、电脑、汽车,医疗机器和家用电器。由此产生的2D/CMOS混合微芯片具有高耐久性和特殊的电子特性,能够以极低的功耗制造人工神经网络。他们可以成功地计算尖峰神经网络——在很短的时间内施加的电应力——这是当前需求不断增加的人工智能系统的关键组成部分。目前的大多数设备都不适合实现这种类型的神经网络,市场需要找到新的方法。
该研究成果引了台积电(TSMC)和阿斯麦(ASML)等领先半导体公司的兴趣,并可能帮助其他公司降低加工成本和能源。微芯片制造和人工智能领域的大多数公司都致力于开发新的硬件,以减少数据处理时间和能源消耗,但尚未找到合适的设备。
IBM曾尝试将石墨烯集成到用于射频应用的晶体管中,但这些设备无法存储或处理信息。相比之下,Lanza教授的团队制造的设备尺寸仅为260 纳米,如果有更先进的微芯片可用,可以非常容易地制造得更小。
这项名为“用于忆阻应用的混合2D/CMOS微芯片(Hybrid 2D/CMOS microchips for memristive applications)”的研究于3月27日发表在《自然》杂志上。这项工作对于纳米电子学和半导体领域来说是令人兴奋的,因为所生产的器件和电路具有高性能,并且具有深远的工业应用潜力。
论文链接:https://www.nature.com/articles/s41586-023-05973-1
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