《高性能二维钙钛矿单晶纳米线阵列光电探测器研究取得进展》

  • 来源专题:中国科学院亮点监测
  • 编译者: liuzh
  • 发布时间:2018-09-19
  • 近日,中国科学院理化技术研究所博士吴雨辰、中国科学院院士江雷课题组与天津大学教授付红兵,中国科学院外籍院士、美国加州大学伯克利分校教授张翔团队合作,制备出高质量的二维钙钛矿单晶纳米线阵列,首次发现二维钙钛矿纳米线的边缘态光电导效应,并实现了目前世界上最高灵敏度的钙钛矿光电探测器。

相关报告
  • 《我所在钙钛矿单晶数字图像传感器研究方面取得新进展》

    • 来源专题:中国科学院亮点监测
    • 编译者:yanyf@mail.las.ac.cn
    • 发布时间:2018-08-01
    •         近日,我所薄膜硅太阳电池研究组(DNL1606)刘生忠研究员与陕西师范大学杨周副教授、刘渝城博士等在钙钛矿单晶数字图像传感器研究中取得新进展,相关研究结果在《先进材料》(Advanced Materials)上发表。         作为太阳能电池应用的超级材料,钙钛矿CH3NH3PbX3(MAPbX3,X=Cl,Br,I)也在光电子领域展现出重要的应用前景。与多晶薄膜相比,钙钛矿单晶具有更好的光电性能。该团队通过微调晶体成核和生长过程,首次开发了一种低温梯度结晶方法(LTGC)来生长高质量的钙钛矿CH3NH3PbBr3单晶,获得了超低的缺陷态密度,大大提高了载流子迁移率和载流子迁移寿命。此外,科研人员成功地利用高质量的单晶设计,制备了由729像素传感器阵列组成的大面积(≈1300mm2)成像组件。该器件具有非常快的响应速度,优异的光响应度,高分辨率的成像功能,以及很好的稳定性,是目前研究报道的首例基于大尺寸单晶钙钛矿的高性能数字图像传感器,为使用钙钛矿单晶材料设计开发新型光电器件提供了新思路。   上述研究工作分别得到中国国家重点研究与发展计划、中央高校基础研究基金、国家自然科学基金项目、111项目、国家大学科研基金、相关人才计划创新团队、中国国家相关人才计划项目的资助。
  • 《硅上的氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2018-12-02
    • 华南师范大学和北京大学开发了(100)硅上基于氮化镓(GaN)微丝阵列的紫外(UV)金属-半导体-金属(MSM)探测器。 研究人员使用自上而下的技术创建水平微丝,用300nm等离子体增强化学气相沉积(PECVD)二氧化硅层制备2英寸高电阻率(100)硅衬底,该二氧化硅层被图案化呈7μm硅间隙隔开的3μm条纹。用300nm AlN绝缘缓冲液的低压(100mbar)金属有机化学气相沉积(MOCVD)然后无意掺杂GaN制备微丝阵列。使导线与两个相隔20μm的图案化镍/金肖特基电极接触。 在2500μW/ cm2 325nm氦镉激光功率下,5.0V偏压,电流为2.71mA。暗电流为1.3μA,灵敏度为2.08×105%。研究人员声称,他们的紫外光电探测器在高紫外线灵敏度,高响应度和高EQE方面表现优于大多数单一GaN纳米/微电子和纳米线阵列光电探测器。