美国Odyssey Semiconductor Technologies Inc公司以普通股定向发行125万股（每股4美元）的方式筹集了500万美元，以进一步开发和生产高压垂直导电氮化镓（GaN）电源开关器件。
Odyssey董事长兼首席执行官亚历克斯·贝法尔（Alex Behfar）表示：“我们欢迎新股东加入Odyssey ，全世界都在关注清洁能源以及电力的发展和采用情况，我们可以为客户提供支持，在电动汽车等应用中实现更高效、更紧凑的电源转换，我们对我们的技术充满信心，相信可以为行业带来的进步。”
众所周知垂直导电的GaN基功率器件的性能要优于使用硅和碳化硅（SiC）制造的器件，但是事实证明，使用标准方法很难制造垂直结构高压GaN器件。因此，GaN功率器件一直被归结为水平导电的低压、消费类电子产品。Odyssey已经开发了专有的GaN处理技术来生产高压功率开关器件，该器件将打破电动汽车、太阳能逆变器、工业电机和电网等应用的长期性能障碍。
该公司计划在2021年底之前提供垂直导电GaN产品的工程样品，并根据联合电子器件工程理事会（JEDC）标准进行资格认证。
Odyssey最近还通过其代工制造服务扩大了客户群。Odyssey团队在支持各种半导体应用方面拥有丰富的经验，包括功率器件、集成光电、化学传感和光谱学。该公司为客户提供从原型生产到全面代工的支持。
