新加坡的IGSS GaN Pte Ltd（IGaN）公司和马来西亚SilTerra.Sdn Bhd宣布了他们最近技术转让合作伙伴关系的结果，证明了在CMOS兼容的制造工艺中，使用200mm GaN-on-Si晶圆的D模式MISHEMT器件的电压为650V。独家合作的成果是建立和转移了无金金属化和CMOS兼容的200mm GaN-on-Si金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）制造工艺。
GaN器件用于高功率密度无线功率传输，支持更高的服务器功率，并且氮化镓技术可以释放无线充电应用的潜力，远远超出手机和笔记本电脑等低功耗应用。
IGaN董事长兼首席执行官Raj Kumar表示：“IGaN提供100-200mm GaN-on-Si外延片和200mm CMOS友好型GaN制造工艺，IGaN和SilTerra共同提供加速器，以促进纯硅和基于化合物的技术转换为GaN-on-Si。与SilTerra的新合作伙伴关系使我们能够在2019年初大规模生产这种强大的新技术。”
