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《行业超过NAND闪存的资本支出需求》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2018-07-15

  • 由于主要NAND供应商的超支，预计今年将进一步降低NAND闪存价格。IC Insights将于本月晚些时候发布其200多页的年度更新报告，即2018年McClean报告。 The Mid-Year Update 修订了IC Insights到2022年的全球经济和IC行业预测，这些预测最初发布于今年1月发布的2018年McClean报告中。

    预计今年将超过41％的额外需求量（2017年NAND比特出货量增长41％，但是1H18 / 1H17比特量出货量仅增长30％）。因此，NAND闪存价格在2018年初已经开始下降也就不足为奇了。此外，预计今年下半年疲软步伐将会回升，并持续到2019年。

    内存市场的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。三星，SK海力士，美光，英特尔，东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量。

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相关报告

  • 《NAND闪存需求2020年将淡季不淡》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2020-01-07
    • 研调机构集邦科技存储器储存研究（DRAMeXchange）最新调查指出，2020年首季NANDFlash需求将淡季不淡，而在原厂资本支出相对保守下，2020年全年供需将逐渐紧张，第1、2季价格预计将持续走扬。 集邦表示，由于ClientSSD合约价自高点连跌7季，与传统硬盘成本差距已不远，2019年第2季起刺激笔记本计算机搭载SSD比重及容量显著上升。6月中旬后，铠侠/威腾四日市厂区跳电导致供给量下降，带动eMMC/UFS、SSD成交价格第3季中止跌，晶圆市场迅速反弹，第3季上涨近20%，eMMC/UFS及SSD合约价也在第4季翻涨。 从客户端需求来看，尽管2019年第4季合约价上涨，导致ClientSSD需求趋缓，但数据中心客户积极准备2020年新方案需求，拉货动能优于预期，使第4季EnterpriseSSD已出现供不应求，预期2020年第1季合约价将有所支撑。 除数据中心客户积极备货带动需求，移动设备端也因准备苹果2020年上半年新机上市，备货力道从第4季起增加。总体而言，2020年首季NANDFlash将呈现淡季不淡的局面。 供给方面，由于供货商自2019年第2季起已处损益两平、甚至亏损状态，不得不降低2020年资本支出，产能扩张与3DNAND层数提升时程均较以往保守。总和各厂规划，2020年位产出增长仅略高于30%，是历年来规划目标低点，加上2019年供给位已因跳电事件下调，并连续两年产出增长幅度不及35%，是第1次出现的景象，这也使2020年全年供需更显紧张。 展望价格，集邦认为，基于淡季需求不淡、供给趋保守以及供货商库存已下降，各类产品合约价在2020年首季均有望持续上涨。按产品类别来看，Client及EnterpriseSSD供需缺口较eMMC/UFS更加显著，将使SSD产品涨价幅度高于嵌入式产品。预估第2季也将受惠下半年智能手机以及游戏主机等新品生产、传统旺季备货，涨价趋势延续。 渠道市场晶圆合约价部分，由于毛利较低，供货商在主要产品需求热络情况下，规划在第1季减少对晶圆市场出货比重，以优先满足接踵而来的SSD需求。供货商库存水位正常下，预期模块厂议价空间有限，2019年12月底时价格已上涨逾10%，预期第1季涨幅有望延续超过10%水平。 另针对三星华城厂区短暂停电事件，集邦表示，该厂区发生跳电的NANDFlash厂区以Line12、13为主，Line12主要生产2DNAND，而非主流3DNAND产品。Line13生产DRAM及部分采EUV制程的半导体LSI代工，目前只有20纳米制程，并非先进的1X/1Y纳米制程，LSI则以CMOS产品为主。目前初步观察，因跳电时间短、不断电系统顺利衔接，虽仍需停机检查，但应可迅速恢复，影响应有限。
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  • 《IC Insights：半导体资本年支出将首次超过千亿美元，存储占比53%》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2018-08-29
    • 据国外分析机构IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业一年来第一次在资本支出上花费超过1000亿美元。1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9％，比2016年增长了38％。 如下图所示，超过一半的行业资本支出预计用于内存生产——主要是DRAM和闪存，这些支出包括了对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53％。 数据显示，存储设备的资本支出份额在过去六年大幅增加，几乎翻了一番，从2013年的27％（147亿美元）增加到2018年的行业资本支出总额的53％（540亿美元），也就是说存储产业的投资在2013-2018年间的复合年增长率高达30％。 IC Insights也表示，经过两年的资本支出大幅增加，一个迫在眉睫的主要问题是，高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。 他们表示，存储市场的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。 但目前看来，包括三星，SK海力士，美光，英特尔，东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量（以及更多中国新内存创业公司进入市场） 。 IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险正在高涨且不断增长。
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