荷兰的Nexperia BV宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，开发基于氮化镓（GaN）技术的电动汽车（EV）逆变器技术演示器。Nexperia是分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家。
GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FET能以更低的成本带来更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车方面，这意味着车辆可具有更长的续航里程，这也是电动汽车消费者的主要关注点。GaN即将取代碳化硅（SiC）或硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT），成为插电式混合动力或全电池电动汽车中使用的牵引逆变器的首选技术。
去年，Nexperia推出了一系列经AEC-Q101批准的GaN器件，为汽车设计师提供了可靠的器件及不断扩充的产品组合，并提供动力系统电气化所需的功率密度。Ricardo在为汽车行业的概念提供设计和咨询服务，包括技术原型和演示器的生产，并与McLaren和Bugatti等著名领先品牌合作。
Nexperia总经理Michael LeGoff说：“通过将GaN FET器件用于逆变器设计并由Ricardo对逆变器进行试验，我们能够更好地了解如何安全可靠地驾驶车辆。”
里卡多技术与产品总监Adrian Greaney表示：“半导体技术是逆变器系统效率的关键，在电动汽车性能和效率方面发挥着重要作用。氮化镓可以显著提高开关速度和效率，堪称一项推动性的技术。除了扩大行使范围，它还能缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量，从而提供更大的动力系统设计灵活性，并有助于减轻车辆重量。”
