二维层状材料是近些年兴起的一类新材料,通常其层内以较强的共价键或者离子键结合而成,而层间则是依靠较弱的范德华力堆叠在一起。与石墨烯相比,二维层状半导体材料因其较为理想的带隙结构使它们在微电子及光电子领域具有极大的应用潜力。此外,与传统的Si及III-V族半导体材料相比,层状半导体二维纳米 结构具有超薄的厚度,有利于器件的栅极调制,并且有助于器件在纵向方向的高密度集成;此外层状半导体二维纳米结构表面非常光滑、没有化学悬键,这个特征使 载流子免于表面粗糙度及陷阱态的影响,从而能够获得较高的载流子迁移率;而且天然的二维结构使其与柔性基底具有很好的兼容性,有望成为理想的柔性器件材 料。国家纳米科学中心何军课题组系统地研究了Te及Se基层状材料,如碲化镓(GaTe)超薄纳米片等,获得了一种高性能的光电晶体管器件(ACS Nano,2014,8, 4859-4865。在二维层状结构SnSe生长过程中人为引入催化剂,从而可控地制备一种一维/二维高级次复合结构垂直阵列 (Nanotechnology, 2014, 25, 105705)。该成果获得了编辑及审稿人的认可,被选为当期的封面,作为亮点文章报道(featured paper)。