《意法半导体和台积电合作加速市场采用GaN基产品》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-03-01
  • 瑞士意法半导体和世界上最大的硅晶圆代工厂台湾半导体制造公司(TMSC)合作,以加快氮化镓(GaN)工艺技术的开发以及向市场提供分离式与整合式氮化镓元件导。通过此次合作,意法半导体的GaN产品将使用台积电的GaN工艺技术制造。

    具体而言,与基于相同拓扑的硅技术相比,意法半导体基于GaN和GaN IC技术的产品将为中高功率应用提供更高的效率解决方案,包括混合动力和电动汽车的汽车转换器和充电器。意法半导体表示,它们还将加速消费和商用车辆电气化势。

    意法半导体汽车与离散事业部总裁Marco Monti表示:“意法半导体在加速GaN工艺技术的开发以及将功率GaN和GaN IC产品推向市场方面看到了巨大的机会。此项合作补足了我们在法国图尔地区以及与电子暨资讯技术实验室(CEA-Leti)合作所从事的既有功率氮化镓活动。对于功率、智慧型功率电子、以及制程技术而言,氮化镓代表下一个重大的创新。”

    台积电业务发展副总裁Kevin Zhang博士说:“我们期待与意法半导体合作,并将GaN功率电子技术的应用带到工业和汽车电源转换中。TSMC领先的GaN制造专业技术,再加上意法半导体的产品设计和汽车级鉴定能力,将为工业和汽车电源转换应用带来巨大的能效改进。”

    意法半导体预计今年稍晚将提供功率氮化镓分离式元件的首批样品给其主要客户,并于之后数个月内提供氮化镓集成电路产品。

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    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2020-02-26
    • 据钜亨网报道,台积电于昨(21)日宣布,将与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。 台积电指出,相较于硅技术,功率氮化镓及氮化镓集成电路产品,在相同制程上具备更优异的效益,能够协助意法半导体提供中功率与高功率应用所需的解决方案,包括应用于油电混合车的转换器与充电器。功率氮化镓及氮化镓集成电路技术将协助消费型与商用型汽车朝向电气化的大趋势加速前进。 意法半导体汽车产品和分立器件部总裁MarcoMonti表示,做为要求极高的汽车及工业市场中宽能隙半导体技术及功率半导体的领导者,意法半导体在氮化镓制程技术的加速开发与交付看到了庞大的商机,将功率氮化镓及氮化镓集成电路产品导入市场。台积电是可信赖的专业积体电路制造服务伙伴,能够满足意法半导体之目标客户对于充满挑战的可靠性及蓝图演进的独特要求。 台积电业务开发副总经理张晓强也表示,台积电期待和意法半导体合作把氮化镓功率电子的应用带进工业与汽车功率转换。而台积电领先的氮化镓制造专业结合意法半导体的产品设计与汽车级验证能力,将大幅提升节能效益,支持工业及汽车功率转换之应用,让它们更环保,并且协助加速汽车电气化。 意法半导体预计2020年稍晚将提供功率氮化镓分离式元件的首批样品给其主要客户,并于之后数个月内提供氮化镓集成电路产品。 据公开资料显示,意法半导体(ST)集团于1987年成立,拥有许多芯片制造工艺并拥有自有的制造设施并在研发中心附近建厂的经营理念,在全球建立了前后工序制造网络(前工序指晶圆制造,后工序指芯片封装测试),主要晶圆厂位于意大利的AgrateBrianza和Catania,法国的Crolles、Rousset和Tours以及新加坡,配套封装测试厂位于中国、马来西亚、马尔它、摩洛哥、菲律宾和新加坡。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2021-01-10
    • 瑞士日内瓦的意法半导体(STMicroelectronics)在其MasterGaN平台基础上推出了MasterGaN2,MasterGaN2是新系列中的首款产品,其中包含两个非对称氮化镓(GaN)晶体管,可提供适用于软开关和有源整流转换器拓扑的集成GaN解决方案。 650V常关型GaN晶体管具有150mΩ和225mΩ的导通电阻(RDS(on))。意法半导体表示与优化的栅极驱动器结合在一起,使GaN技术易于使用,像制造普通硅器件一样。通过将先进的集成技术与GaN固有的性能优势相结合,MasterGaN2进一步提高了器件效率,并使尺寸减小和重量减轻,例如有源钳位反激式。 MasterGaN功率级封装(SiP)系列在同一封装中结合了两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和相关的高压栅极驱动器,并内置了所有必要的保护机制。设计人员可以将外部设备直接连接到MasterGaN器件,外部设备包括霍尔传感器和控制器,例如DSP、FPGA或微控制器。意法半导体表示,这些输入与3.3V至15V的逻辑信号兼容,这有助于简化电路设计和物料清单,以及简化组装,可以实现更小的占位面积。这种集成有助于提高适配器和快速充电器的功率密度。 GaN技术正在推动快速USB-PD适配器和智能手机充电器的发展。意法半导体认为,MasterGaN器件可使这些器件的体积缩小到原来的80%,重量减轻到原来的70%,而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。 内置保护机制包括低侧和高侧欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用停机引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN封装针对高压应用进行了优化,高压和低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。 MasterGaN2现已开始生产,订购1000片的最低价格为6.50美元。