《意法半导体扩展了MasterGaN系列》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2021-01-10
  • 瑞士日内瓦的意法半导体(STMicroelectronics)在其MasterGaN平台基础上推出了MasterGaN2,MasterGaN2是新系列中的首款产品,其中包含两个非对称氮化镓(GaN)晶体管,可提供适用于软开关和有源整流转换器拓扑的集成GaN解决方案。

    650V常关型GaN晶体管具有150mΩ和225mΩ的导通电阻(RDS(on))。意法半导体表示与优化的栅极驱动器结合在一起,使GaN技术易于使用,像制造普通硅器件一样。通过将先进的集成技术与GaN固有的性能优势相结合,MasterGaN2进一步提高了器件效率,并使尺寸减小和重量减轻,例如有源钳位反激式。

    MasterGaN功率级封装(SiP)系列在同一封装中结合了两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和相关的高压栅极驱动器,并内置了所有必要的保护机制。设计人员可以将外部设备直接连接到MasterGaN器件,外部设备包括霍尔传感器和控制器,例如DSP、FPGA或微控制器。意法半导体表示,这些输入与3.3V至15V的逻辑信号兼容,这有助于简化电路设计和物料清单,以及简化组装,可以实现更小的占位面积。这种集成有助于提高适配器和快速充电器的功率密度。

    GaN技术正在推动快速USB-PD适配器和智能手机充电器的发展。意法半导体认为,MasterGaN器件可使这些器件的体积缩小到原来的80%,重量减轻到原来的70%,而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

    内置保护机制包括低侧和高侧欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用停机引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN封装针对高压应用进行了优化,高压和低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

    MasterGaN2现已开始生产,订购1000片的最低价格为6.50美元。

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