中国河北半导体研究所报告了大面积800μm直径的4H-多型碳化硅紫外雪崩光电二极管（SiC UV APD），其具有改善的量子效率、增益和暗电流。这是“首次”使用变温光致抗蚀剂回流技术来创建平滑的斜边壁，该斜边壁可抑制泄漏电流并避免过早的边缘击穿。
研究人员声称，据他们所知，他们已经获得了基于大面积4H-SiC APD的可见盲紫外探测器的最佳整体性能，其高增益超过106，高量子效率为81.5％ ，暗电流低，紫外/可见光的抑制比高达103。研究表明直径为800μm的器件的增益、量子效率和暗电流性能与直径小于300μm的APD相当。
紫外检测在天文学、通信和生化分析中具有广泛的应用。军事警告和制导系统可以使用可见盲紫外线感应来引导或跟踪导弹羽流。
