X-Fab已经改进了其180纳米传感器工艺，将光电二极管的性能从紫外光增强到近红外光。
为了提升光电二极管的性能，X-Fab硅晶圆代工厂已经扩大了其XS018 180纳米传感器生产工艺。
增强型XS018工艺模块专用于光电二极管制造，从紫外光（UV）到近红外光（NIR）有六个不同的方案可供选择。光电二极管工艺能够提供同类最好的紫外光敏感度，长波紫外线波段的量子效率（QE）为40％，中波紫外线波段的量子效率为50％~60％，短波紫外线波段的量子效率高于60％。
对于850纳米近红外光电二极管来说，这个工艺的量子效率比基于原始XH018工艺的传统设备的量子效率提高了17％，对于905纳米的近红外光电二极管，量子效率也提高了5％。
这个工艺模块使得能够通过指定金属孔径的大小来判定光电二极管的响应度。因此，光电二极管的输出电流可在全电流和无电流之间调整，从而对滤波引起的任何差异进行补偿。这进而又简化了光电二极管阵列的伴随放大电路。
其它增强包括，与基于早期XH018一代的设备相比，这个工艺模块的填充因子增加了10％。通过这个工艺模块，可以制造出能够对较低光照水平做出反应的设备，或者可以减少模具的尺寸，从而节省空间。
“通过持续的投资，X-Fab已经建立了强大的光电信用资质。这方面的一个证据是这个事实，全世界生产的手机超过20％配有我公司生产的环境光传感器，”X-Fab负责产品营销的副总裁路易吉·迪·卡普阿说道。“得益于我公司们在光电二极管产品方面取得的进展，我公司现在能够更好地满足客户对近距离传感、光谱分析和光学距离/三角测量解决方案的需求。”
