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《SK海力士公司计划实现芯片生产全自动化》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： shenxiang
  • 发布时间：2021-03-05

  • 据TechWeb网2月8日消息 ，SK海力士公司计划实现芯片制造工厂的全自动化运营，以降低成本。该公司的一名高管表示，目前该公司的300毫米晶圆厂已经实现高度自动化运作，绝大多数生产流程都能自动化进行，仅需少部分工作人员进行监测。若使生产制造的每个环节都实现自动化和智能化，最大的挑战是通过准确的预测提高生产效率和良品率。其中，基于人工智能和数字孪生技术的预测方案将发挥重要作用。这些技术将破除芯片制造自动化的诸多限制。

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  • 《欧盟《芯片法案》的目标能否实现》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2022-02-24
    • 中新社北京2月22日电(记者刘育英)今年2月初，欧盟颁布《芯片法案》，提出到2030年欧洲半导体的全球市场份额翻一番，达到20%。这一目标能实现吗？ 根据公开披露，《芯片法案》计划投入超过430亿欧元资金，以提振欧洲芯片产业，降低欧洲对美国和亚洲企业的依赖。 《芯片法案》提出了三方面主要内容。一是提出“欧洲芯片倡议”，将提供110亿欧元用于加强现有的研究、开发和创新，以确保部署先进的半导体工具以及用于原型设计、测试的试验生产线等；二是建设新的合作框架，通过吸引投资和提高生产力来确保供应安全，以提高先进制程芯片供应能力；三是完善成员国与委员会之间的协调机制。 欧盟委员会主席冯德莱恩说，欧洲芯片法将改变欧洲单一市场的全球竞争力。在短期内，它将使欧洲能够预测并避免供应链中断，从而提高欧盟对未来危机的抵御能力。从中期来看，这将有助于欧洲成为这一战略分支的工业领导者。 欧盟为何要制定《芯片法案》？ 芯片是关键产业价值链的战略资产。爱集微咨询业务部总经理韩晓敏接受中新社采访时表示，芯片是数字经济的核心，从智能手机和汽车，到医疗保健、能源、通信和工业自动化的关键应用和基础设施，都需要芯片的支撑。而近两年的疫情，使多个国家遭受芯片短缺，并重新认识到技术领先和供应安全的重要性。 欧洲拥有芯片价值链上的优势，许多公司在供应链中发挥着重要作用。荷兰的阿斯迈公司(AMSL)是全球唯一的光刻机厂商，而光刻机是芯片制造业的核心装备。此外欧洲的汽车芯片也有优势。 但同时，欧洲也有劣势。韩晓敏表示，欧洲虽然在设备、三代半导体材料、设计上均有一些厂商，但整个产业链非常不完整。全球排名前20名的芯片设计企业，没有一家是欧洲的。在制造环节，主要厂商三星、台积电都在亚洲。欧洲在全球半导体生产市场的整体份额不到10%，并且严重依赖第三国供应商。 当前美国、日本、中国都在加大对半导体产业的投入。在补贴下，美国吸引到三星、台积电建厂，英特尔也宣布在美建设世界最大芯片厂。2021年11月，台积电与索尼合资在日本建设首家半导体工厂，最近又表示追加投资，增加两成产能。 韩晓敏表示，在如此竞争态势下，欧盟出台《芯片法案》，其核心目的是给予恩智浦、博世、意法半导体、英飞凌等本土大的芯片企业提供补贴，使其不会因其他国家的补贴而迁走。同时，该法案希望吸引台积电、三星等大厂前来建厂。 欧盟《芯片法案》提出，到2030年将欧洲的全球市场份额翻一番，达到20%，并在欧洲生产最先进、最节能的半导体。20%市场占有率能实现吗？ 韩晓敏分析表示，现在的全球芯片市场，按产品类别分，CPU/GPU处理器占到大约15%-20%，存储芯片占到30%，剩下50%份额主要是模拟芯片、手机芯片等。 在存储领域，市场主要被三星、海力士、美光几家公司瓜分；在CPU/GPU领域，主要是英特尔、英伟达、AMD三家。这意味着，在剩下模拟芯片、手机芯片等50%份额的市场里，要达到40%的份额，才能在全部芯片市场达到20%份额。而这部分市场厂商林立，如在手机芯片市场，高通、联发科、紫光展锐是三个主要玩家，门槛已经非常高。因此欧盟要达到40%的市场份额几乎不可能。 《芯片法案》还提到供应安全的目标。韩晓敏表示，要台积电、三星等制造厂商到欧洲投资几乎是不可能的，因为成本等原因，到欧洲投资不符合商业逻辑。 另外，430亿欧元的资金额度虽然看起来很多，但半导体是资本密集型产业，动辄上百亿美元投资，430亿欧元是否足够多还要看其所跨越的周期。预计未来《芯片法案》还会有更具可操作性的配套措施出台。
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  • 《SK海力士宣布开发第三代1Znm内存芯片》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2019-10-31
    • 10月21日，SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM，据称，这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。 与上一代1Y产品相比，该产品的生产率提高了约27%，由于可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，其在成本上具有竞争优势。 新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，功耗降低约40%。 第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。 接下来，SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域，包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。 DRAM 1Z开发事业TF长李廷燻表示，该芯片计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应。
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